前往小程序,Get更优阅读体验!
立即前往
首页
学习
活动
专区
工具
TVP
发布
社区首页 >专栏 >STM8S——Flash program memory and data EEPROM

STM8S——Flash program memory and data EEPROM

作者头像
Christal_R
发布2017-12-25 15:27:21
1.6K0
发布2017-12-25 15:27:21
举报

1、简介

  STM8S内部的FLASH程序存储器和数据EEPROM是由一组通用寄存器来控制的;所以我们可以通过这些通用寄存器来编程或擦除存储器的内容、设置写保护、或者配置特定的低功耗模式。我们也可以自己对器件的 option byte 进行编程。在这里我们只简单的讲解如何对STM8S内部的数据存储区域(data memory)进行写操作、读操作、擦除操作。

2、存储架构图

STM8S内部存储包括:FLASH程序存储器(FLASH program memory)和数据EEPROM(DATA EEPROM);

(1)数据EEPROM又包括:

  • 数据存储区域(DATA MEMORY):指定从地址0x00 4000开始,其中包括 [1 block] 的option byte,数据存储区域用于存储应用数据;

(2)FLASH程序存储器又包括:

  • 用户启动区域(USER BOOT CODE):指定从地址0x00 8000开始,其中包括UBC option bytes和 [128 byte] 的中断矢量(interrupt vectors);
  • 程序存储区域(MAIN PROGRAM):用于存储应用程序代码;

  所以我们的操作是在DATA MEMORY里面,在该区域的指定地址进行读取内容、写入内容、擦除内容。

3、操作方法

(1)FLASH_ReadByte( ADDRESS ):读取地址ADDRESS处的1字节内容

(2)FLASH_ProgramByte( ADDRESS , DATA ):写1字节的内容到地址ADDRESS处

(3)FLASH_EraseByte( ADDRESS ):在地址ADDRESS处删除1字节的内容

4、操作步骤

使用操作前的配置

(1)配置选择编程时间,选择标准模式;

(2)解除数据存储区域的写保护;

说明:UBC和DATA MEMORY都有写保护,其中UBC的写保护是永远无法解锁的,而DATA MEMORY的写保护是可以通过连续写入两个MASS密钥值来解除该区域的写保护的;第一个密钥为0x56,第二个密钥为0xAE;只有当两个密钥输入正确(输入到寄存器FLASH_DUKR中)且输入密钥的先后顺序正确时,才会解除写保护;否则该区域在下一次系统复位之前都将一直保持写保护状态。

(3)读取、写入、擦除等操作;

5、代码实现

代码语言:javascript
复制
 1 /* Includes ------------------------------------------------------------------*/
 2 #include "stm8s.h"
 3 
 4 /* Private typedef -----------------------------------------------------------*/
 5 typedef enum { FAILED = 0, PASSED = !FAILED} TestStatus;
 6 
 7 /* Private variables ---------------------------------------------------------*/
 8 __IO TestStatus OperationStatus;
 9 
10 
11 /**
12   * @brief How to Read / Write / Erase one Byte on FLASH memory.
13   * @par   Examples description
14   *        - Read one byte at address 0x40A5
15   *        - Write its complement value at address + 1
16   *        - Check programed value
17   *        - Erase 2 byte (address 40A5 & 40A6)
18   *        - Check the 2 bytes value is 0x00.
19   * @param  None
20   * @retval None
21   */
22 void main(void)
23 {
24 
25     uint8_t val = 0x00, val_comp = 0x00;
26     uint32_t add = 0x00;
27 
28     /* Define FLASH programming time */
29         //Standard programming time fixed at 1/2 tprog
30     FLASH_SetProgrammingTime(FLASH_PROGRAMTIME_STANDARD);
31 
32     /* Unlock Data memory */
33         //compare to two hardware key value: 0x56 and 0xAE
34     FLASH_Unlock(FLASH_MEMTYPE_DATA); 
35 
36     /* Read a byte at a specified address */
37     add = 0x40A5;
38         //read one byte from the address
39     val = FLASH_ReadByte(add); 
40 
41     /* Program complement value (of previous read byte) at previous address + 1 */
42     val_comp = (uint8_t)(~val);
43         //modify one byte at the address
44     FLASH_ProgramByte((add + 1), val_comp); 
45 
46     /* Check program action */
47     val = FLASH_ReadByte((add + 1));
48     if (val != val_comp)
49     {
50         /* Error */
51         OperationStatus = FAILED;
52         /* OperationStatus = PASSED, if the data written/read to/from DATA EEPROM memory is correct */
53         /* OperationStatus = FAILED, if the data written/read to/from DATA EEPROM memory is corrupted */
54         while (1)
55         {
56         }
57     }
58 
59     /* Erase byte at a specified address & address + 1 */
60         //erase one byte at the address
61     FLASH_EraseByte(add);
62     FLASH_EraseByte((add + 1));
63     /* Erase action */
64     val = FLASH_ReadByte(add);
65     val_comp = FLASH_ReadByte((add + 1));
66     if ((val != 0x00) & (val_comp != 0x00))
67     {
68         /* Error */
69         OperationStatus = FAILED;
70         /* OperationStatus = PASSED, if the data written/read to/from DATA EEPROM memory is correct */
71         /* OperationStatus = FAILED, if the data written/read to/from DATA EEPROM memory is corrupted */
72         while (1)
73         {
74         }
75     }
76 
77     /* Pass */
78     OperationStatus = PASSED;
79     /* OperationStatus = PASSED, if the data written/read to/from DATA EEPROM memory is correct */
80     /* OperationStatus = FAILED, if the data written/read to/from DATA EEPROM memory is corrupted */
81     while (1)
82     {
83     }
84 }
本文参与 腾讯云自媒体分享计划,分享自作者个人站点/博客。
原始发表:2017-07-13 ,如有侵权请联系 cloudcommunity@tencent.com 删除

本文分享自 作者个人站点/博客 前往查看

如有侵权,请联系 cloudcommunity@tencent.com 删除。

本文参与 腾讯云自媒体分享计划  ,欢迎热爱写作的你一起参与!

评论
登录后参与评论
0 条评论
热度
最新
推荐阅读
相关产品与服务
对象存储
对象存储(Cloud Object Storage,COS)是由腾讯云推出的无目录层次结构、无数据格式限制,可容纳海量数据且支持 HTTP/HTTPS 协议访问的分布式存储服务。腾讯云 COS 的存储桶空间无容量上限,无需分区管理,适用于 CDN 数据分发、数据万象处理或大数据计算与分析的数据湖等多种场景。
领券
问题归档专栏文章快讯文章归档关键词归档开发者手册归档开发者手册 Section 归档