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PC市场太萎靡!英特尔不得不和老对手ARM合作

英特尔高级院士Mark Bohr称,英特尔10nm工艺的栅极间距是54nm,是同时代10nm最强。

最近几年,随着移动设备的大规模化普及,PC市场不断地萎缩,曾经叱咤风云的英特尔日子也是愈加难过,不得不寻求新的转型之路。在市值被台积电超过后,英特尔准备和老对手ARM合作,为ARM提供芯片代工业务。

此前,英特尔在旧金山的某个活动中表示,今年推出的10nm制造工艺有很大的成本优势,到时候必然会获得更多的代工订单。英特尔高级院士Mark Bohr称,英特尔10nm工艺的栅极间距是54nm,是同时代10nm最强。

而ARM之前一直是为英特尔的竞争对手提供处理器的技术授权,但是该公司销售和战略联盟高级副总裁Will Abbey表示,ARM正在与英特尔就制造技术展开合作,不久之后采用ARM架构的芯片将会在英特尔的工厂中生产。

目前在高端芯片代工行业中,英特尔的主要竞争对手是三星和台积电,这两家公司都已经率先研发出10nm工艺,而且成功实现量产。但是英特尔表示他们2014年研发的14nm工艺已经和这两家的10nm工艺差不多。

对此,Mark Bohr还写了一篇文章抨击现在半导体工艺命名上的混乱状况,并且提出了一个衡量半导体工艺水平的公式。

确实,由于英特尔自产的芯片和很多家芯片设计公司都是竞争关系,所以他们几乎不可能会让英特尔来代工生产,所以英特尔正在将眼光瞄准苹果,一旦成为苹果的供应商,那么其业务量必然会提高。

本文分享自微信公众号 - 镁客网(im2maker)

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原始发表时间:2017-03-30

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