nor flash之写保护开销

背景

之前有介绍过写保护，这里就不赘述了，可参考：https://cloud.tencent.com/developer/article/1582185

但没有谈到开销，今天有同事问起，便记录一下

性能

不考虑写保护的nor性能评估及实测，可参考：https://www.cnblogs.com/gmpy/p/12011436.html

bp保护的开销

bp保护，一般都需要写Status Register，这种寄存器是一般是non-volatile，即非易失性，也就是写入后掉电值不会丢失重置，就像写入了flash的数据一般。

这个特性也决定了，其编程时间要长一些。一般是ms级别的。放两家flash的规格书截图供参考，请看其中的tw值：

ms级别的开销意味着，如果在每次写入之前解保护，写入之后恢复保护，会对写性能造成很大的影响。

独立块保护的开销

独立块保护，启用功能时需要写Status Register，启用后就不再需要操作Status Register了。

每次发送的解保护命令和保护命令，导致的状态改变是volatile，即易失性的，掉电后就会被清空，上电时flash总是处于全保护的状态。

每个block的保护状态标记，其实是记录在sram中的，不需要固化到flash中，其开销是ns级别的，这个规格书中没有标注，但可以向厂商了解或自行实测。

ns级别的开销意味着我们可以放心地在每次写入的前后，进行解保护和恢复保护，而不用担心性能问题。

本文地址：https://cloud.tencent.com/developer/article/1585560

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