美打压国产芯片再出新招！拟逮捕福建晋华前总裁陈正坤等人

新智元报道

来源：Bloomberg

编辑：梦佳、雅新

【新智元导读】美国旧金山法院近日发出逮捕令，将涉嫌窃取美国储存大厂美光DRAM技术商业机密的三位嫌疑人列入通缉名单。三人包括福建晋华前总裁陈正坤，以及台湾联华电子公司的两位工程师何建廷和王永铭，他们均曾供职美光。

据彭博社6月26日报道，美国旧金山法院在当地时间6月24日发出逮捕令，将涉嫌窃取美国存储大厂位于爱达荷州的美光DRAM技术商业机密的三位嫌疑人列入通缉名单。

三位嫌疑人当中有一位是大陆芯片制造商福建晋华前台湾籍总裁陈正坤，另外两位是台湾联华电子公司的两位工程师何建廷和王永铭，他们都曾在美光任职。

案件审理历时两年，如罪名成立涉案人最高15年徒刑

案件还要回溯到2018年，美国司法部以「经济间谍罪」向台湾联华电子、福建晋华两家公司，以及晋华总经理陈正坤以及其他两位联电主管，提起了刑事和民事诉讼，指控这三人涉嫌窃取美国DRAM技术商业机密。

此后，美方和当事人律师之间一直在周旋，对当事人的传讯也一再推迟。

当地时间上周三就该案件进行了一场只有3分钟的听证会，涉案三人均未能参与庭审，旧金山的一位联邦治安法官当天发布了逮捕令。

检方表示：「当事人因为不同的理由，未能出庭。但对被告逐一发布逮捕令，是适当的行动，也符合政府要求。」

而就在两周前，台中法院对于美光起诉联电窃取商业机密一案已经进行了宣判。何建廷被判刑5年6个月，罚金500万新台币；王永铭被判4年6个月，罚金400万新台币；联电协理戎乐天判刑6年6个月，罚金600万新台币。

联电被判处罚金1亿新台币(约合人民币2390万元)。联电当时曾表示，将会提起上诉。

联华电子

美国方面，一旦相关罪名成立，包括陈正坤等被起诉人将面临经济间谍罪最重 15 年徒刑以及 500 万美元罚款。另外，此案还涉及窃取营业秘密罪，涉案人面临最重 10 年的徒刑。

值得注意的是，联电和中国福建晋华一旦在美国被控罪名成立，可能面临最高 200 亿美元的罚款。

福建晋华方面表示「不认罪」，联电方面也一直在进行无罪辩护。

值得关注的是，陈正坤是台湾DRAM界老将，17年出任福建晋华总经理，协助建厂。在此之前，他还是联电的副总经理。

陈正坤

陈正坤原为美光公司2013年收购的一家电子公司瑞晶的总经理兼董事长，后来成为美光公司在台湾一家子公司美光记忆体股份有限公司 (MMT) 的总裁。这家子公司负责为美光公司制造25nm DRAM芯片。在2015年，陈正坤从MMT辞职后，加入联电担任副总。

陈正坤曾被问及为什么要加入联电和中国大陆 DRAM 技术合作研发计划，陈正坤曾表示，当年瑞晶被美光兼并这件事对他的冲击非常大，自主开发 DRAM 技术一直是他心中的梦想。

美方对中方企业的发难已经数见不鲜，此案背后的政治压力可想而知。报道中指出，这三人都是台湾公民，法律专家表示，他们没有出庭美国法院的动机。中国大陆和台湾和美国之间都没有引渡条约。

美光与联电、晋华纠葛始末

美光与联电、晋华的诉讼案简单回顾：

中国DRAM进口依赖度极高，被寄予厚望的福建晋华却因「禁令」折戟

DRAM作为半导体中的重要器件，凭借体积小、价格低、集成度高、功耗低、读写速度快等优势，一直是适用于内存最好的介质。

自1966年至今已经过去近50年，DRAM市场累计创造了超过1万亿美元产值。在过去的十年里，DRAM的市场份额一直维持在50%以上，充分体现了技术上的可扩展性和市场的巨大需求。

上个世纪70年代，英特尔提出了一种新的设计，将DRAM存储器单元的晶体管从四个减少到三个，成功将存储空间提升到1024个字节。这也就是我们如今所用DRAM的技术原型。

发展至今，DRAM三巨头三星、海力士、美光呈现三足鼎立的态势，2019年市场占率分别为50.9％、29.2％、18.5％。

美光1978年成立于美国，是全球最大的半导体储存和影像产品制造商之一。中国市场为美光最为重要的海外市场。美光在中国上海拥有一家研发中心，并在西安建有工厂，负责测试和封装业务。美光科技目前在中国拥有近2300名员工。

美光嵌入式解决方案市场营销部副总裁Jeff Bader曾表示，存储技术是美光科技的核心竞争力，多年来，美光销售主要在亚洲市场，而中国市场则是重中之重。

中国是DRAM领域最大市场，进口依赖度极高，存在较大的国产替代空间。

随着国内半导体产业的迅速发展，紫光国芯、福建晋华、合肥长鑫、长江存储等国内企业已逐渐跃入了公众的视野。

目前，长鑫存储已经成为了国内第一家DRAM供应商，将生产国产第一代 10nm 工艺级 8Gb DDR4 内存芯片。竞争对手紫光则计划于 2021 年在重庆建成研发中心和 DRAM 晶圆厂。

晋华集成是由福建省电子信息集团、及泉州、晋江两级政府共同出资设立。一直以来，它专注于DRAM领域，与台湾联华电子开展技术合作。

福建晋华目前仅专注于利基型DRAM的生产制造，技术相对落后，首先导入的产品为25nm DRAM存储器，在制程上大概落后三星3代左右。

原预估2018年9月正式投产，到2019年底一厂一期项目可实现月产6万片12英寸晶圆的产能，到2020年底一厂二期也将达产6万片。并适时启动二厂的建设，到二厂达产时，总产能将达24万片。

就在福建晋华即将投产之季，美光的诉讼接踵而至。2018年10月，美商务部还将晋华列入实体清单，使得该公司的生产计划陷入停滞。2019年甚至传出晋华或主动放弃DRAM，转向晶圆代工，为了与美光和解。可以官网看出自2018年10月试产投片后，公司大事记并无更新。

晋华官网

说起联电，它是台湾第一家半导体制造企业，于1980年成立，比台积电还要早成立七年，是真正意义上的台湾半导体界开创者。

目前，联电在成熟、特色工艺代工市场占据领先优势。但目前根据拓璞产业研究院公布的数据显示，2019年联电芯片代工市场份额约为7%，台积电仍然是一骑绝尘，占到50%。而联电在面板驱动IC领域的市场占率居全球首位，在有机发光二极管(OLED)驱动IC领域也居领先地位。

目前，联电位列世界前五大晶圆代工厂之一，台积电、三星、格芯、联电、中芯国际。

从这场刑事案件来看，检方如果获胜，则要从晋华和联电没收从美光「窃取」技术所制造的芯片和获取的收入，并在长达5年的时间内禁止使用美光的机密技术。

彭博报道中称，对福建晋华的起诉阻碍了中国大规模生产存储芯片的愿望。

此外，也有台媒提出，美国此番发难，归根结底是想采取新的策略，借此打压中国大陆大规模生产芯片的能力。

目前此案仍在进行中。

参考链接：

https://zhuanlan.zhihu.com/p/94092768

https://wxn.qq.com/cmsid/20200627A0HBCP00

https://moore.live/news/231891/detail/