DDR3 接口分析
1.认识顶层文件example_top.v
打开顶层文件example_top.v
下图为各种参数设定，有bank、column、rank等参数设置（其实你不用动他们，这些都是之前选好的，不记得自己选了什么？乖乖！不如再翻翻DDR3 IP 核配置？）
下图为DDR的各种接口；
column和row地址是在ddr3_addr里面复用的，column一般是10bit宽度，row一般是14-16bit宽度；
ddr3_ba是选bank的，一般是3bit宽度，对应8个bank；
下图为各种参数配置，相互之间的关系换算等（作为设计者不要管他）
下图为各种wire定义（你有兴趣研究码？我是没兴趣！）
下图为DDR3例化实体
只需要改动下面几个参数（具体后边介绍）：
.app_addr (app_addr),
.app_cmd (app_cmd),
.app_en (app_en),
.app_wdf_data (app_wdf_data),
.app_wdf_end (app_wdf_end),
.app_wdf_wren (app_wdf_wren),
下图为Traffic gen实例化和traffic gen相关参数（对设计没用，不管他）
以上就是example_top.v工程的顶层文件内容，在整个设计中，需要你改动的就只有example_top.v，而且只有以下几个port；
.app_addr (app_addr),
.app_cmd (app_cmd),
.app_en (app_en),
.app_wdf_data (app_wdf_data),
.app_wdf_end (app_wdf_end),
.app_wdf_wren (app_wdf_wren),
2.用户接口管脚
app_addr 操作地址，按照结构从高位到低位是 rank+bank+row+column
app_cmd 操作命令，其实你只需要用到3‘b000（写入命令）和3’b001（读出命令）
app_en 操作地址app_addr的使能，只有使能拉高时，app_addr才有效
app_wdf_data 写入数据接口
app_wdf_end 实际中和app_wdf_wren一样（app_wdf_end=app_wdf_wren即可）
app_wdf_wren 写入数据接口app_wdf_wren的使能，拉高时，app_wdf_data才有效
以上6个信号就是需要你通过编写程序的用户接口信号；
3.DDR3时序分析
写数据时序图
app_rdy :在app_rdy拉高的时候拉高app_en,地址app_addr才有效；
app_wdf_rdy：在app_wdf_rdy拉高的时候拉高app_wdf_wren，写入数据app_wdf_data才有效；
所以写入数据是两系统：一是地址，二是数据
- 地址内容是app_addr,它在app_rdy(DDR控制)和app_en（设计者自己控制）同时拉高的时候才有效；
- 数据内容是app_wdf_data,它在app_wdf_rdy（DDR控制）和app_wdf_wren（设计者自己控制）同时拉高时才有效；
这两套系统在时序上对齐，就可以成功将数据写入DDR；
其实，两系统不对齐也是ok的，如下图，1是严格对齐，2和3说明早写入和晚写入也是ok的；具体可以参考：DDR3读写数据
读数据时序图
app_rd_data:读数据
app_rd_data_valid读数据使能
同样，在app_rdy和app_en拉高的时候才有效；
END