硬件知识之(低压差线性稳压器)LDO的选择

1.低压差线性稳压器

低压差线性稳压器是新一代的集成电路稳压器，它与三端稳压器最大的不同点在于，低压差线性稳压器（ldo）是一个自耗很低的微型片上系统（soc）。它可用于电流主通道控制，芯片上集成了具有极低线上导通电阻的mosfet，肖特基二极管、取样电阻和分压电阻等硬件电路，并具有过流保护、过温保护、精密基准源、差分放大器、延迟器等功能。pg是新一代ldo，具各输出状态自检、延迟安全供电功能，也可称之为power good，即“电源好或电源稳定”。低压差线性稳压器通常具有极低的自有噪声和较高的电源抑制比。

2.适用范围

低压差稳压器（LDO）的常用范围都是直流电路的前端，常用在一些小家电，低功耗产品上等.

3.重要参数

低压差稳压器（LDO）样重要的参数有压降电压、压差(Dropout voltage)、静态耗电电流、静态电流(quiescent current)、负载调节( Load Regulation )，线性调节(Line Regulation)，最大输出电流，速度，瞬态响应(Transient response)...等。个别低压差稳压器会标明电源抑制比(PSRR)，输出噪声(Output noise).

4.使用心得

低压差稳压器（LDO）的常见封装如下：

SOT23-5

SOT89

SOT23-3

TO252

SOT-223

我们在开发板板上常见的LDO型号有AMS11117，电路如下：

上图设计采用我们常见的LDO电路输入5V直流转3.3V直流电压，我们常用末端3.3V转换好的电压给MCU供电，此处需要添加104电容给主控芯片滤波，10uF是稳压作用。

当然LDO的几个重要参数，都是我们应该关注的，输入电压范围，输出电压，然后过流多少，静态功耗等，我们常见的AMS1117-3.3的，过流是1A左右，用在普通电路上都是够用的，不过如果放在低功耗电路上却不是很好的选择，因为静态功耗能到达5mA左右，低功耗电路上讲究的是器件的静态电流。

针对市面上的LDO多种类我们应该怎么选型，知道输入电压、使用电流范围、静态功耗范围，以及PCB的封装就可以针对性的寻找自己电路合适的PCB，如果后端电流在250mA内不是很大的话我可以推荐一款LDO SE855X2-HF。

参数如下：

针对低功耗低电流低成本产品还是一个不错的选择的LDO，可以在嘉立创商城上面参考使用手册，这里就不一一讲解好处了，懂得自然懂哈哈，如果成本方面的话还是某宝有优势，再者就是自己直接认识供应商，我不是推销商，大家不要误解错了，纯属良心工程师一枚，希望大家通过以上信息有所收获，对LDO硬件设计有所了解。

通过上述LDO我们可以给他加个电源控制开关，电路如下：

我们可以看到这是一个三极管推动MOS管的电源控制电路，极管和MOS管在驱动上是有区别的，三极管是电流驱动，而MOS管是电压驱动，三极管的基极驱动电压只要高于Ube的死区电压即可控制三极管导通，硅材料三极管的死区电压一般为0.6V，锗材料三极管的死区电压一般为0.3V，所以控制三极管的电压对于硅材料的三极管来说只要高于0.6V左右即可，而对于锗材料的三极管来说只要高于0.3V左右即可。

而MOS管就不一样了，MOS管是电压型驱动，其驱动电压必须高于其死区电压Ugs的最小值才能导通，不同型号的MOS管其导通的Ugs最小值是不同的，一般为3V~5V左右，最小的也要2.5V，但这也只是刚刚导通，其电流很小，还处于放大区的起始阶段，一般MOS管达到饱和时的驱动电压需6V~10V左右。

了解三极管和MOS管在控制上的区别之后，那么单片机I/O口怎么控制三极管和MOS管呢？单片机一般采用5V或3.3V供电，其I/O口高电平为5V或3.3V，处理器一般讲究低功耗，如今使用3.3V供电的单片机较多，所以其I/O口高电平也只有3.3V。

我们如果想要完全控制电源端就需要给LDO的前端加一个电源控制，三极管的基级由单片机控制，HT333也是LDO器件，电路如下。

VBAT为输入电源端，VCC_PCI33为输出电源端输出3.3V电压。Q2为MOS管AO3401（根据实际电压和电流选型），Q3三极管SS8050（一般8050电流足够驱动），VCC33_PWR，就是单片机端的控制信号，由单片机的IO口控制电源的通断，如果是使用STM32单片机需要采用推挽输出。高电平打开电源导通，低电平关闭电源导通。

希望以上知识能给大家带来对硬件电路的一定性了解，电路上的骚操作，后续会带大家慢慢了解，请持续关注。

注意器件要根据实际情况选型！电路还是得骚的，不骚怎么省成本呢！