手机卡顿-闪存要担部分责任

前言

手机，电脑越来越卡怎么回事！！！ 小提莫粗浅的解答一下。（排除机械硬盘）机械硬盘太慢了

一个重要的东西-闪存

闪存

什么是闪存？

闪存是一种电子式可清除程序化只读存储器的形式，允许在操作中被多次擦或写的非易失性存储器。这种科技主要用于一般性数据存储，以及在计算机与其他数字产品间交换传输数据，如储存卡与U盘。因为闪存不像RAM一样以字节为单位改写数据，因此不能取代RAM。

闪存的基本单元电路由双层浮空栅MOS管组成。第一层栅介质很薄，作为隧道氧化层。在第二级浮空栅加以正电压，使电子进入第一级浮空栅。擦除方法是在源极加正电压利用第一级浮空栅与源极之间的隧道效应，把注入至浮空栅的负电荷吸引到源极。

具体请参考《百度百科-闪存》

闪存颗粒

目前来看主要分为SLC,MLC,TLC,QLC. 这四种存储颗粒的区别主要体现在那方面，以下我们就从价格，使用寿命，应用场合来划分.

SLC: 单层次存储单元SLC = Single-Level Cell，即1bit/cell，速度快寿命最长，价格贵（约MLC 3倍以上的价格），约10万次擦写寿命.是目前使用寿命最高的颗粒，由于价格贵，产能少，供货周期不稳定，主要应用于军事装备，航空航天，国防工业，石油化工等对寿命要求极为严苛的场合。目前在普通应用行业已经慢慢退出。

MLC:双层存储单元MLC = Multi-Level Cell，即2bit/cell，速度一般寿命一般，价格一般，约3000---1万次擦写寿命。早期的几十纳米工艺的时候可以达到1万次寿命，随着工艺的进步，制程越来越小的情况下，目前MLC基本上保证3000次的使用寿命。从眼下的情况来看 ，MLC己经被TLC赶超风头了，目前MLC使用最多的地方还是集中于工业现场和军工用途稍多

TLC:TLC =Trinary-Level Cell，即3bit/cell，速度慢寿命最短，价格便宜，约500-1千次擦写寿命，最新企业级的TLC颗粒寿命不再是问题了，可以达到MLC的3000次，并且也同时推了-40~85的宽温产品。是目前SSD存储颗粒的新星。成本较MLC下降了非常多，寿命也提升了，速度方面受限于TLC本身的特性，在SLC cache用完后，速度都会有非常明显的下降，从目前各家的使用情况来看，三星的TLC在这方面相对平衡一些。

QLC:QLC = Quad-Level Cell架构，即4bit/cell，支持16充电值，速度最慢寿命最短，早期QLC从他的实际表现要将其用于实际的企业业务中的确有点勉强，但随着技术的不断发展，目前镁光，INTEL都将其作为企业级产品在使用，并且PE数也从最早的几百次直接飙升到现在的1000次。从数字表面来看，这次寿命很短，但他可以把单盘的容易做得很大，容量一旦上去了，对于同一个业务来讲的话，可以理解为他的P/E就是增加了，QLC出现的最大意义在于容量大，价格低，是未来最有可能取代传统机械硬盘的产品。我想这也是INTEL,镁光等大企业不不遗余力推荐他的初衷了。

从以上我们非常容易得出结论

寿命：SLC>MLC>TLC>QLC

价格：SLC>MLC>TLC>QLC

容量：SLC<MLC<TLC<QLC

卡顿原因

由上文可以看出，闪存是有使用次数上限的。以TLC颗粒举例，当擦写次数仅剩200次/100次时就可以明显的感到手机卡顿，反应迟缓，这很大可能是闪存的问题，特别是使用2-3年及以上的。一般手机这类消费级产品搭载的闪存颗粒擦写次数都不高，多数千元机（2400及以下）均搭载TLC颗粒，意在让你换手机！你或许好奇为什么不上MLC颗粒？说实话，多数人手机换代很勤快，基本上不会把它当奢饰品对待，故没必要搭载擦写次数更高的闪存颗粒，况且会增加生产成本，厂家不愿意干。并且日本的闪存就是太耐用被韩国的闪存企业超过了！无奈至极。

总结

手机如果卡顿到几乎不可用的地步，请换手机吧，毕竟这是消费级产品。不换，耽误的都是你的时间，你的事。