随机访问存储器的动态原理

　　随机访问存储器（Random-Access Memory，RAM)分为两类：静态RAM (SRAM)和动态RAM(DRAM)。SRAM比DRAM更快，但也贵得多。SRAM用来作为高速缓存存储器，一般只有几兆。DRAM用来作为主存以及图形系统的帧缓冲区(显存)，一般有几G。 　　静态存储器SRAM将每个位存储在一个双稳态的存储器单元里。每个单元是用一个六晶体管电路来实现的。由于这种双稳态特性，只要有电，它就会永远保持他的值，即使有干扰。例如电子噪音，来扰乱电压，当消除干扰时，电路就会恢复稳定值。 　　动态存储器DRAM将每个位存储为对一个电容的充电。这个电容非常小，通常只有30*10^-15法拉。 DRAM存储器可以造的十分密集。 每个单元由一个电容和一个访问晶体管组成。但是，DRAM存储器对干扰非常敏感。当电容电压被扰乱后，就永远不会恢复。很多原因会导致漏电，使得DRAM单元在10~100毫秒时间内失去电荷。幸运的是，计算机的时钟周期以纳秒衡量，这个保持时间也相当长。存储器系统必须周期性地读出，然后重写来刷新存储器的每一位。

**非易失性存储器 ** 　　如果断电，DRAM和SRAM会丢失它们的信息，从这个意义上说，它们是易失的（volatile)。另一方面，非易失性存储器（nonvolatilememory)即使是在关电后，也仍然保存着它们的信息。 　　由于历史原因，虽然ROM有的类型既可以读也可以写，但是它们整体被称为只读存储器(Read-Only Memory,ROM)。PROM (Programmable ROM,可编程ROM)只能被编程一次。PROM的每个存储器单元有一种熔丝（fUse),它只能用高电流熔断一次。可擦写可编程ROM (EPROM)有一个透明的石英窗口，允许光到达存储单元。EPROM能够被擦除和重编程的次数的数量级可以达到 1000 次。电子可擦除 PROM (EEPROM)类似于 EPROM,但是它不需要一个物理上独立的编程设备，因此可以直接在印制电路卡上编程。EEPROM能够 被编程的次数的数量级可以达到10^5次。闪存（flash memory)是一类非易失性存储器，基于EEPROM,它已经成为了一种重要的存储技术。固态硬盘(Solid State Disk,SSD)也是基于闪存的磁盘驱动器。

访问主存 　　数据流通过称为总线(bus)的共享电子电路在处理器和DRAM主存之间来来回回。每次CPU和主存之间的数据传送都是通过一系列步骤来完成的，这些步骤称为总线事务（bus transaction)。读事务（read transaction)从主存传送数据到 CPU。写事务（write transaction)从CPU传送数据到主存。IO桥是将系统总线的电子信号翻译成存储器总线的电子信号。总线是一组并行的导线，能携带地址，数据和控制信号。