德国Innolume公司

德国Alexey：Innolume的历史要追溯到2003年。Innolume 从一开始的很长一段时间里就实现盈利，多年前营业收入就达到数百万欧元，现在继续保持年均增长40%的发展势头。最初Innolume的团队有着把“量子点”技术商业化的想法，这个可以弥补砷化镓（GaAs）和磷化铟(InP)材料所欠缺的11XX-12XX nm波长范围，但后来Innolume大大地扩展了波长范围，现在能够提供780nm-1340nm之间的任何种类的激光二极管芯片。

最早从事GaAs基的LD研究，波长可以covering 780~1340nm。量子点和先进的芯片design是其突出亮点。具有芯片全流程制成能力，每年出产量 10M chips/year.

具有两台MBE设备，可以material choice of (In,Al)GaAs(P,N)/GaAs system。 Conventional (In, Al)GaAs quantum well structures cover the standard wavelength range of 780-1180nm whereas proprietary InAs quantum dot technology extends the attainable range all the way up to 1350nm.

Quantum Dots

AFM image of Quantum Dots

量子点是宿主介质中具有更高电子能带隙的小型半导体结构。量子点尺寸一般在2 ~ 10nm或~10 ~ 50个原子之间。更具体地说，用于激光二极管的量子点是一种自组织的纳米结构，在外延生长过程(如MBE或MOCVD)中自发和可控地在晶格不匹配的III-V衬底上形成。它们通过使载流子局部化而起作用。，电子和空穴，通过量子约束。这限制了三个平动自由度，并能显著增强有用的电子特性。目前，量子点可能是新兴纳米技术的最佳实例。工业应用范围从光电子和电子到医疗和生物。

量子点构成了Innolume几乎所有半导体二极管激光器和相关产品的增益介质。这是因为它们的组成、离散性和三维载流子约束比传统的量子阱异质结构提供了宝贵的激光性能优势，而传统的量子阱异质结构只提供一维约束，并且表现出应变限制。其优点包括降低阈值电流、温度独立性、增益谱展宽和低相对强度噪声。从历史上看，这些优势更多的是理论上的，而不是实际的，因为它们是在不受宿主介质和结构干扰的理想量子点行为的基础上预测出来的。现实要复杂得多。充分发挥理论优势需要数年的MBE(分子束外延)工艺开发、异质结构工程和器件优化，在Innolume的多特蒙德-德国fab。

今天，Innolume已经实现了量子点纳米技术在二极管激光器、相关光学器件如增益芯片(GC)、半导体光放大器(SOA)、发光二极管(LED)、超发光二极管(SLD)和单模或多模激光棒上的应用前景。成果包括:1)演示了不依赖于温度的激光性能从-20º90ºC;2)非常宽的lasing谱(> 80 nm)，具有均匀的强度;3)独特的梳形激光二极管，允许对多个高功率(≥5mw)通道进行10gb /s无误差调制;4)高峰值功率下锁模稳定、健壮;5)整体激光性能可与最好的量子阱二极管激光器相媲美。

Innolume首选的复合半导体材料体系是InAs/GaAs，即砷化镓中的铟量子点与铝镓砷化镓垒，均在砷化镓衬底上。该系统的激光发射波长窗口在1064 ~ 1320 nm之间，由量子点大小、分布和铟浓度控制。因此，Innolume的量子点激光器填补了基于GaAs (< 1100 nm)或InP (> 1300 nm)的量子阱激光器之间的波长差距。此外，尽管离散增益介质(例如，与连续量子阱层相比)的浓度相对较低，但量子点能够实现高功率器件和高壁挂效率。

Innolume的技术人员数十年来一直密切参与量子点纳米技术在光电子领域的应用。几乎所有的技术人员都是在世界闻名的俄罗斯圣彼得堡的约菲研究所接受过阿尔费罗夫教授(2000年诺贝尔激光异质结构奖得主)及其同事的培训。20世纪90年代，他们在MBE和激光技术方面在全球各地开展工作，2003年在多特蒙德的Innolume保护伞下聚集起来，将量子点纳米技术商业化。所有阶段的制造都在那里完成，从MBE到包装。为了进一步巩固其技术，2006年群创光电收购了美国新墨西哥州唯一一家拥有量子点激光产品的公司Zia激光。

Innolume 有自己的外延片。