buck中的上、下MOS管

关于buck中的上、下管选型：

这里抛开Vgs,Vds,Ids等等参数，主要从降低功耗，减少发热方面来说：

上管要求有快速开关性能；

因为buck中，占空比一般比较小，所以上管的导通时间是比较短的，这就需要上管尽快的导通，以响应电流的需求。

而其相对下管有较短的导通时间，所以Rds相对影响较小。

计算开关过程中器件的总损耗，设计人员必须计算开通过程中的损耗（Eon）和关闭过程中的损耗（Eoff）。MOSFET开关的总功率可用如下方程表达：Psw=（Eon Eoff）×开关频率。而栅极电荷（Qgd）对开关性能的影响最大。

下管要求有低的Rds(on)；

因为大部分时间下管处于导通状态，所以需要Rds较小，从而来减低功耗。

至于开关性能，因为mos管本身有体二极管，当下管没有导通的时候，它的体二极管可以提供一个瞬时的电流，所以对它的开关性能要求没那么高，而是注重于导通电阻。

Mos管并不是理想的器件，因为在导电的过程中会有电能损耗，这称之为导通损耗。

Mos在导通时就像一个可变电阻，由Rds（on）所确定，并随温度而显著变化（随温度的升高而变大）。

器件的功率耗损可由Iload2×RDS（ON）计算，由于导通电阻随温度变化，因此功率耗损也会随之按比例变化。对MOS管施加的电压VGS越高，RDS（ON）就会越小；反之RDS（ON）就会越高。

MOSFET Selection and Considerations

The preferred high-side MOSFET emphasizes low gate charge so that the device spends the least amount of time dissipating power in the linear region. Unlike the low-side MOSFET, which has the drain -source voltage clamped by its body diode during turn off, the high-side MOSFET turns off with a VDS of approximately VIN- VOUT, plus the spike across it. The preferred low-side MOSFET emphasizes low r DS(ON) when fully saturated to minimize conduction loss. It should be noted that this is an optimal configuration of MOSFET selection for low duty cycle applications (D < 50%).

注意：

开关管分别断开，关闭时候，电流的流向。

Buck电路的占空比：D=Vo/Vi。

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