DDR之ODT_ddr3 std

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我们知道使用DDRSDRAM的主板上面为了防止数据线终端反射信号需要大量的终结电阻。它大大增加了主板的制造成本。实际上，不同的内存模组对终结电路的要求是不一样的，终结电阻的大小决定了数据线的信号比和反射率，终结电阻小则数据线信号反射低但是信噪比也较低；终结电阻高，则数据线的信噪比高，但是信号反射也会增加。因此主板上的终结电阻并不能非常好的匹配内存模组，还会在一定程度上影响信号品质。DDR2可以根据自己的特点内建合适的终结电阻，这样可以保证最佳的信号波形。使用DDR2不但可以降低主板成本，还得到了最佳的信号品质，这是DDR不能比拟的。

DDRII内建了终结电阻器，在DRAM颗粒工作时把终结电阻器关掉，而对于不工作的DRAM颗粒则打开终结电阻，减少信号的反射。ODT至少为DDRII带来了两个好处，一个是去掉了主板上的终结电阻器使主板的成本降低，也使PCB板的设计更加容易。第二个好处是终结电阻器可以和内存颗粒的”特性”相符，使DRAM处于最佳状态。

主板终结电阻控制电压与ODT在写入数据时的比较

主板终结电阻控制电压与ODT在读取数据时的比较

出于兼容性的考虑，DDR2标准在制定之初似乎显得有些缩手缩脚，这也直接导致其各方面表现比起DDR没有长足进步。新一代的DDR3采用了ODT（核心整合终结器）技术以及用于优化性能的EMRS技术，同时也允许输入时钟异步。在针脚定义方面，DDR3表现出很强的独立性，甚至敢于彻底抛弃TSOPII与mBGA封装形式，采用更为先进的FBGA封装。DDRIII内存用了0.08微米制造工艺制造，将工作在1.5V的电压下。

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