大家好,又见面了,我是你们的朋友全栈君。
三极管饱和条件
推荐
1.在实际工作中,常用Ib*β=V/R作为判断临界饱和的条件。根据Ib*β=V/R算出的Ib值,只是使晶体管进入了初始饱和状态,实际上应该取该值的数倍以上,才能达到真正的饱和;倍数越大,饱和程度就越深 。
2.集电极电阻 越大越容易饱和;
3.饱和区的现象就是:二个PN结均正偏,IC不受IB之控制
基极电流达到多少时三极管饱和?
这个值应该是不固定的,它和电源电压,集电极负载、β值,基极电阻,
基极信号大小有关.
另外一个应该注意的问题就是:在Ic增大的时候,hFE会减小,所以我们应该让三极管进入深度饱和Ib〉〉Ic(max)/hFE,Ic(max)是指在假定e、c极短路的情况下的Ic极限,当然这是以牺牲关断速度为代价的。
饱和时Vb>Vc,但Vb>Vc不一定饱和
一般判断饱和的直接依据还是防大倍数,有的管子Vb>Vc时还能保持相当高的放大倍数
例如:有的管子将Ic/Ib<10定义为饱和
Ic/Ib<1应该属于深饱和了
用三极管可以考虑以下几点:
1)耐压够不够
2)负载电流够不够大
3)速度够不够快(有时却是要慢速)
4)B极控制电流够不够
5)有时可能考虑功率问题
6)有时要考虑漏电流问题(能否“完全”截止)。
7)增益
版权声明:本文内容由互联网用户自发贡献,该文观点仅代表作者本人。本站仅提供信息存储空间服务,不拥有所有权,不承担相关法律责任。如发现本站有涉嫌侵权/违法违规的内容, 请发送邮件至 举报,一经查实,本站将立刻删除。
发布者:全栈程序员栈长,转载请注明出处:https://javaforall.cn/195078.html原文链接:https://javaforall.cn