三星宣布量产236层3D NAND闪存芯片，PCIe 5 SSD速度可超12GB/s

11月7日消息，三星电子今日宣布量产236层 3D NAND 闪存芯片，这是三星产品中具有最高存储密度的1Tb (128GB) 三比特单元（TLC）的第8代V-NAND。

据介绍，这款1Tb容量的全新V-NAND是目前三星V-NAND中具有最高存储密度的产品，可为全球企业系统提供容量更大、密度更高的存储解决方案。

同时，随着三星第8代V-NAND存储芯片的存储密度的大幅提升，与现有相同容量的闪存芯片相比，最新的第8代V-NAND存储芯片可提高 20% 的单晶生产率，从而进一步降低了成本（在良率相同的情况下），这可能意味着大家有望买到同等容量更便宜的固态硬盘。

基于最新NAND闪存标准Toggle DDR 5.0接口的三星第8代V-NAND，其输入和输出（I/O）速度高达2.4 Gbps（千兆比特每秒），相比上一代提升了1.2倍，这可以满足PCIe 4.0和更高版本PCIe 5.0的性能要求。当搭配高端主控使用时，它可使得消费级 SSD 的传输速度轻松超过 12GB/s。

三星表示，其第8代V-NAND有望帮助扩展下一代企业服务器的存储容量，同时其应用范围还将拓展至可靠性尤为重要的车载市场。

三星闪存产品与技术执行副总裁SungHoi Hu也表示：“市场对更高密度、更大容量存储的需求，推动了V-NAND层数的增加，三星采用3D缩放（3D scaling）技术，减少表面积并降低高度，同时避免了缩小时通常会发生的单元间的干扰。我们的第8代V-NAND将有助于满足快速增长的市场需求，更好地提供差异化产品和解决方案，有望成为未来存储创新的基础。”

今年年初有消息称，三星正准备大规模生产具有下一代接口的 SSD。目前英特尔和AMD正准备推出支持PCIe 5.0 SSD的服务器处理器，因此三星选择现在推出第8代V-NAND产品。据官方介绍此产品的闪存厚度在可控范围内，封装512GB容量也不超过0.8mm，所以存储容量也更大，后续或可用于新一代智能手机。

值得注意的是，今年年中，三星推出了其第八代和第九代 V-NAND 产品以及第五代 DRAM 产品。在此之前，该公司目前为 V-NAND 提供 512 Gb 三级单元 (TLC) 产品。

此外，第五代 DRAM 产品将是 10nm (1b) 器件，将于 2023 年进入量产阶段。三星即将推出的其它 DRAM 解决方案还包括 32 Gb DDR5 解决方案、8.5 Gbps LPDDR5X DRAM 和 36 Gbps GDDR7 DRAM。

三星声称，到 2030 年，它将打造出 1000 层的 V-NAND。为了实现这一目标，三星正在从其当前的 TLC 架构过渡到四级单元 (QLC) 架构，以提高密度并启用更多层。

三星还将在 DRAM 研发上投入更多资源，研究新的架构和材料，例如 High-K，以帮助将 DRAM 扩展到 10nm 以上。该公司打算进一步开发其它 DRAM 解决方案，例如内存处理 (PIM)。

编辑：芯智讯-林子