VM311振弦读数模块电源接口说明

VM3XX 模块有多个电源接口，分别为：宽电压电源输入（VIN）、内核电源（VDD）、振弦传感

器激励电源（VSEN）、模拟电路电源（VDDA），各电源共用 GND。

电源输入（VIN）：宽电压 VIN 管脚为模块供电（DC5~18V），推荐电压为 5.0V~8.0V，VIN 可

产生内核电源 VDD，当使用 VIN 此管脚为模块供电时，VDD 管脚为输出，提供 3.3V 的稳压输出，

可利用此电源为其它电路供电。VDD 输出能力为 200mA，尽量不要使用 VDD 输出过大电流，以免

影响模块内核的正常工作。

内核电源（VDD）：可由 VIN 产生，当不使用 VIN 时，此管脚作为电源输入，需要外接 DC3.3V

电源。供电电压范围 DC2.2~3.6V，推荐电压为 3.3V。模块工作时峰值电流约为 100mA，建议使

用输出能力 200mA 或以上的电压源。VM3XX/VM4XX 模块的 VDD 应尽量使用标准的 3.3V，其它电

压值会造成热敏电阻测量产生偏差，VM5XX 模块内部有电压校准机制，对 VDD 电压值无严格要

求。

参考电压（VREF）：对于 VM3XX，此管脚为输出，不使用时保持悬空即可，对于 VM5XX/6XX/7XX

此管脚为输入，应直接连接到 VDD（无需精准的参考电压源）。

激励电源（VSEN）：VSEN 为传感器激励过程提供电能，当采用高压激励方法时，VSEN 作为

泵压源，一般情况下 VSEN 电压越高则可获取的激励电压也越高（

3.3V 的泵压源最高可获得约

120V 的高压）；当采用低压扫频激励方法时，VSEN 电压即是扫频电压。建议采用 200mA 或以上

的电压源为 VSEN 供电，供电电压推荐为 DC8V~10V。

模拟电源（VDDA）：为 ADC、信号滤波放大器供电，电压范围 DC2.2~5.0V，推荐电压为 3.3V。

没有引出 VDDA 管脚的模块，内部已连接至 VDD。

请特别注意电源的设计。振弦传感器返回信号为微弱的正弦波，为减少电源纹波对传感器

信号的影响，建议所有电源均使用纹波较小的 LDO 稳压器。当使用交流电转直流的供电方式时，

模块地线（GND）一定要可靠接地（大地），某些低端的交流转直流适配器会将交流干扰引入直

流，严重影响模块信号处理质量，甚至完全无法使用。

建议靠近电源管脚（VDD 尤其重要）使用一个 10µF 钽电容（低 ESR)和一个 0.1µF 的陶瓷电

容并联。增加并联的电容可以有效去除高频干扰。同时为防止浪涌对芯片的损坏，建议在模块

电源输入管脚使用一个适合电压的 500mW 的齐纳二极管防止模块的超压损坏。PCB 布局时，电容

和二极管应尽可能靠近模块的电源输入管脚。

注：严禁同时使用 VIN 和 VDD 为模块供电。

注：模块没有反接电源及超压保护措施，当超过最大允许电压时会导致模块永久性损坏。

注：早期版本的 VM311 模块无 VSEN 管脚接口，已在内部连接于 VDD，可产生最高约 120V 的

高压，若存在管脚兼容问题，请在订购模块时告知我们，新版模块可以在出厂前修改为与早期

版本相同的内部电路连接（同时已引出的 VSEN 管脚失效）

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