TRICONEX CM3201 运用P型与N型半导体接合而成的

TRICONEX CM3201 运用P型与N型半导体接合而成的

太阳电池型式上可分作衬底式与薄膜式，衬底式在材料上又可分单晶式、或相溶后冷却而成的多晶式衬底；薄膜式则可和建筑物有较佳的结合性，它具有曲度，有可挠、可折叠等特性，材料上较常用非晶硅。除前二者外，另有有机或纳米材料制作之太阳能电池，目前仍处研发阶段。

就太阳能电池的发展时间而言，可区分为四个世代：

第一代衬底硅晶（Silicon Based）、第二代为薄膜（Thin Film）、第三代新观念研发（New Concept）、第四代复合薄膜材料。

1. 第一代太阳能电池发展最长久，技术也最成熟。种类可分为单晶硅（Monocrystalline Silicon）、多晶硅（Polycrystalline Silicon）、非晶硅（Amorphous Silicon）。以应用来说是以前两者单晶硅与多晶硅为大宗，也因应不同设计的需求需要用到不同材料（例：对光波长的吸收、成本、面积......等等）。
2. 第二代薄膜太阳能电池，将化合物半导体以薄膜工艺来制造电池，种类可分为二元化合物（碲化镉CdTe、砷化镓）、三元化合物铜铟硒化物（Copper Indium Selenide CIS）、四元化合物铜铟镓硒化物（Copper Indium Gallium Selenide CIGS）。
3. 第三代电池与前代电池最大的不同是工艺中导入“有机物”和“纳米科技”。种类有光化学太阳能电池、染料光敏化太阳能电池、高分子太阳能电池、纳米结晶太阳能电池。
4. 第四代则针对电池吸收光的薄膜做出多层结构。

某种电池制造技术

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