IPB107N20N3G-ASEMI代理英飞凌中低压MOS管IPB107N20N3G
原创IPB107N20N3G-ASEMI代理英飞凌中低压MOS管IPB107N20N3G
原创
用户10468977
发布于 2023-05-18 14:02:47
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文章被收录于专栏：芯片
编辑：ll
IPB107N20N3G-ASEMI代理英飞凌中低压MOS管IPB107N20N3G
型号：IPB107N20N3G
品牌：Infineon(英飞凌)
封装：TO-263
最大漏源电流：88A
漏源击穿电压：200V
RDS（ON）Max：10.7mΩ
引脚数量：3
沟道类型：N沟道MOS管
芯片尺寸：MIL
漏电流：
恢复时间：5ns
芯片材质：
封装尺寸：如图
特性：高压MOS管、N沟道MOS管
工作结温：-55℃~175℃
IPB107N20N3G场效应管
IPB107N20N3G的电性参数：最大漏源电流88A；漏源击穿电压200V
IPB107N20N3G应用：
适用于高频开关和同步整流、适配器、照明、服务器.
原创声明：本文系作者授权腾讯云开发者社区发表，未经许可，不得转载。
如有侵权，请联系 cloudcommunity@tencent.com 删除。
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