三菱电机宣布投资氧化镓晶圆制造商Novel Crystal

7月28日，三菱电机宣布投资Novel Crystal Technology，该公司开发、制造和销售氧化镓（Ga 2 O 3 ）晶圆，该晶圆作为下一代功率半导体晶圆而备受关注。

近年来，随着全球对于碳中和目标的推进，使得市场对有助于提高电力效率的功率半导体的需求不断增加。其中，除了已用作半导体材料的硅（Si）之外，还正在开发碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）。

三菱电机已将使用Si和SiC的功率半导体产品商业化，为电力电子设备的节能做出了贡献。该公司致力于将氧化镓作为材料，以实现更高耐压和更低功率损耗的功率半导体产品。

Novel Crystal Technology 拥有在世界范围内较早开始功率半导体用氧化镓晶圆的开发、制造和销售的记录。该公司目前的业务范围为氧化镓外延膜衬底的制造和销售，单晶、半导体及其应用产品的制造和销售，以及三菱电机开发功率半导体所需的氧化镓晶圆。

未来，三菱电机将把多年培育的低功率损耗、高可靠性功率半导体产品设计和制造技术与Novel Crystal Technology的氧化镓晶圆制造技术相结合，以实现优异的能源效率，并加速研究以及使用氧化镓的功率半导体的开发。

资料显示，氧化镓是一种宽禁带半导体，禁带宽度Eg=4.9eV，远超碳化硅(约3.4eV)、氮化镓(约3.3eV)和硅(1.1eV)，其导电性能和发光特性良好，因此，其在光电子器件方面及大功率场景有广阔的应用前景。虽然，氧化镓迁移率和导热率低，特别是导热性能是其主要短板。不过，相对来说，这些缺点对功率器件的特性不会有太大的影响，这是因为功率器件的性能主要取决于击穿电场强度。

△Ga2O3的结晶形态确认主要有α、β、γ、δ、ε五种，其中，β结构最稳定。与Ga2O3的结晶生长及物性相关的研究报告大部分都使用β结构。β-Ga2O3的击穿电场强度约为8MV/cm，是Si的20多倍，相当于SiC及GaN的2倍以上。

值得注意的是，在2022年8月12日，美国商务部工业和安全局（BIS）就已经将氧化镓和金刚石为代表的超宽禁带半导体材料列入了出口管制。

编辑：芯智讯-林子