FLASH类型,是MLC还是TLC,一般是TLC,器件手册标称1000-3000次,取平均值2000次作为评估;
https://blog.csdn.net/toradexsh/article/details/100977083
eMMC寿命主要由以下几个因素决定:
P/E周期(擦除/编程次数):这是eMMC芯片的一个重要参数,指的是每个存储单元可以被擦除并重新编程的次数。一般来说,P/E周期越高,eMMC的寿命就越长。
磨损均衡技术:为了延长Flash存储的寿命,一般都会使用一种称为“磨损均衡”(Wear Leveling)的技术,通过在所有的物理块之间均匀分配写入操作,从而避免某些块过早失效。
使用环境:工作环境温度、湿度以及操作电压等因素都会对eMMC的寿命产生影响。
写入数据的量和频率:这是影响eMMC寿命的一个重要因素。如果大量且频繁地写入数据,则eMMC可能会较快地达到它的P/E周期上限。
选用的Flash存储类型:不同类型的Flash存储(e.g., SLC, MLC, TLC, QLC)具有不同的P/E周期,因此会影响eMMC的寿命。
厂商的质量控制:储存器的质量和可靠性也对其寿命有影响,厂商的生产工艺和质量控制能力会影响eMMC的寿命。
因此,大体来讲,eMMC的寿命并不是一个简单易测的参数,它涉及到多个复杂的工程问题和设计考量。