SK海力士、三星将从HBM的爆炸性销售增长中受益

高带宽内存（HBM）是人工智能设备必不可少的热门DRAM产品，其销售将在未来几年大幅增长，使SK海力士公司和三星电子公司等市场领导者受益。 据台湾市场研究员TrendForce称，在巨大的定价溢价和人工智能芯片容量需求增加的推动下，HBM市场有望实现强劲增长。 HBM的单位销售价格比传统DRAM高出几倍，大约是DDR5芯片的五倍。 它表示，到2025年，这种定价加上新的人工智能产品的推出，预计将大幅提高HBM在DRAM市场容量和市场价值中的份额。 TrendForce高级研究副总裁Avril Wu在一份研究报告中表示：“HBM在DRAM总位容量中的份额估计将从2023年的2%上升到2024年的5%，到2025年将超过10%。”

（由TrendForce提供）

她说，就市场价值而言，从2024年开始，HBM预计将占DRAM总市场的20%以上，到2025年可能超过30%。 去年，HBM占整个DRAM市场价值的8%。 2025年HBM价格谈判已经开始 然而，由于DRAM的总体容量有限，供应商初步提高了价格5-10%，以管理容量限制，影响了HBM2E、HBM3和HBM3E等人工智能芯片。

（由TrendForce提供）

据TrendForce称，这个早期谈判阶段是由三个主要因素造成的。 首先，HBM买家对人工智能需求前景保持高度信心，并愿意接受持续的价格上涨。 其次，使用通硅（TSV）工艺制造的HBM3E芯片的收益率目前仅在40%至60%之间，还有改进的余地。 此外，并非所有主要供应商都通过了HBM3E的客户资格，导致买家接受更高的价格，以确保稳定和优质的供应。 第三，未来每千兆位（Gb）定价可能会因DRAM供应商的可靠性和供应能力而异，这可能会造成平均销售价格的差异，从而影响HBM制造商的盈利能力。

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SK海力士的HBM3E，HBM3 DRAM芯片的扩展版本

迁移到HBM3E，使SK海力士、三星受益 TrendForce表示，展望2025年，从主要人工智能解决方案提供商的角度来看，HBM规格要求将向HBM3E大幅转变，预计12层堆栈产品将增加。它补充说，这一转变预计将提高每个芯片的HBM容量。 市场研究人员表示，HBM的年度需求增长率在2024年将接近200%，预计到2025年将翻一番。 分析师表示，HBM需求的强劲增长将导致SK海力士和三星等顶级HBM运营商的销售额增加和盈利能力提高。 SK海力士首席执行官Kwak Noh-jung上周表示，就制造HBM芯片的能力而言，到明年，它几乎已经满员了。

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三星的36千兆字节（GB）12层HBM3E 12H芯片

他说，为了巩固SK的HBM市场领导地位，该公司计划在5月向客户提供下一代12层HBM3E芯片的样品，并提前在第三季度开始大规模生产。 三星内存业务副总裁Kim Jae-june在4月下旬表示，该公司已经开始大规模生产用于生成性AI芯片组的HBM芯片，称为8层HBM3E，并将从第二季度末开始从芯片中获得销售收入。 NVIDIA，AMD的新AI芯片 三星高管还表示，它计划最早在第二季度开始生产第五代12层版本。

在内存芯片制造商中，SK 海力士是人工智能采用率急剧增加的最大受益者，因为它主导了HBM的生产，

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对生成人工智能计算至关重要，并且是Nvidia的人工智能芯片的顶级供应商，Nvidia控制了80%的AI芯片市场。 三星预计今年将HBM产量增加两倍，渴望通过英伟达目前正在进行的质量测试。

HBM3E预计将为英伟达的新AI芯片提供动力。