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芯片测量用的几种干涉仪原理光路和特点

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睐芯科技LightSense
发布2024-07-24 10:25:56
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发布2024-07-24 10:25:56
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文章被收录于专栏:睐芯科技LightSense

一,Fizeau干涉仪特点

• Large AOI wafer level

• High 生产量

• Z 轴分辨率 < 1nm

• X-Y 轴分辨率 100-200 μm

Fizeau干涉仪:

双Fizeau干涉仪:

二、Deflectomety干涉仪特点

• Large AOI wafer level

• High 生产量

• Z 轴分辨率 < 1nm

• X-Y 轴分辨率 100-200 μm

三、Shearing干涉仪特点

• Large AOI wafer level

• High 生产量

• Z 轴分辨率 < 1nm

• X-Y 轴分辨率 100-200 μm

四、Michelson, Mirau干涉仪特点

• Large AOI Die level with stitching

• 中等产能

• Z 轴分辨率 < 1nm

• X-Y 轴分辨率 0.3 -10 μm (取决于物镜)

Michelson干涉仪:

Mirau干涉仪:

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