芯片类型与技术节点

不同类型的芯片，用到的不一样的节点技术。除了逻辑芯片外，基本用不到小于28nm的技术。

参考台积电的这个图——全文就这一图是重点，其他文字可不看🙈。

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MEMS:Micro Electro Mechanical Systems (MEMS) 。集成业界领先的互补金属氧化物半导体（CMOS）和晶圆堆叠技术，制造单片微机电系统（MEMS）。台积电传感器SoC技术的范围从0.5微米（µm）到0.11微米，支持G传感器、陀螺仪、压力计、微流体和生物基因芯片等应用。

CIS:台积电的CIS技术已经完成了从正面照明（FSI）到背面照明（BSI）再到多晶圆堆叠的演变。实现了2亿像素（200MP）移动相机、全彩夜视安全/IoT相机、140db高动态范围（HDR）汽车相机、3安全堆叠电压域全局快门（VDGS）增强现实（AR）/虚拟现实（VR）相机等。台积电还继续迁移堆叠式图像信号处理器（ISP），以实现12nm FinFET紧凑型（12FFC）ISP，使CIS芯片更小、更智能、更节能。

NVM:Non-Volatile-Memory，非易失性存储器（NVM）包括工业通用的一次性可编程存储器（OTP）、多次可编程存储器、闪存以及下一代磁RAM（MRAM）和电阻RAM（RRAM）的NVM。

RF:Radio Frequency射频。台积电提供了fab厂最先进、最全面的Mixed Signal/RF CMOS (MS/RF) 技术组合，可选择0.5µm至4nm。它继续推出支持多种通信应用的创新，包括4G/5G蜂窝系统、WiFi和蓝牙。

LOGIC：逻辑芯片

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ANALOG：模拟处理技术/模拟芯片，作为现实世界和数字系统之间的通信接口，将自然模拟生物特征、光、热、速度、压力、温度和声音准确地转换为数字信号。

HV: Higt Voltage高压芯片。台积电的高压工艺范围从0.5微米（μm）到40纳米，具有更高质量的面板驱动器图像和更低的应用功耗，包括电视、智能手机、平板电脑、智能手表和其他便携式电子产品。

BCD：Bipplar-CMOS-DMOS。台积电BCD电源管理工艺具有更高的集成度、更小的占地面积、更低的功耗，覆盖0.6µm到40nm的节点，应用于消费电子、通信设备和计算机。

POWER IC:功率芯片

来源：台积电官方资料。