SD NAND存储功能描述（26）CSD Registers

CSD Register

卡片专用数据寄存器提供有关访问卡片内容的信息。CSD定义了数据格式、纠错类型、最大数据访问时间、是否可以使用DSR寄存器等。寄存器的可编程部分(以W或E标记的条目，见下文)可以通过CMD27进行更改。

下表中各表项的类型编码如下:R=可读，W(1) = 一次可写，W=多次可写。

CSD_STRUCTURE

CSD寄存器的字段结构取决于物理层规范版本和卡容量。

CSD寄存器中的CSD STRUCTURE字段表示其结构版本。

CSD结构的版本号如下表所示。

CSD Register (CSD Version 1.0)

以下部分描述CSD字段和相关数据类型。如果没有明确定义否则，所有的命中字符串将被internet为从左击开始的任意编码数字

TAAC

定义数据访问时间的异步部分。

NSAC

定义与时钟相关的数据访问时间因素的最坏情况。NSAC的单位为100l时钟周期。因此，数据访问时间中与时钟相关的部分的最大值为25.5K个时钟周期。总访问时间Nac为TAAC和NSAC之和。它应该由主机计算实际时钟速率。读访问时间应该解释为数据块或流的第一个数据位的典型延迟。

TRAN_SPEED

下表定义了每条数据线的最大数据传输速率——TRAN_SPEED:NSAC

定义与时钟相关的数据访问时间因素的最坏情况。NSAC的单位为100l时钟周期。因此，数据访问时间中与时钟相关的部分的最大值为25.5K个时钟周期。总访问时间Nac为TAAC和NSAC之和。它应该由主机计算实际时钟速率。读访问时间应该解释为数据块或流的第一个数据位的典型延迟。

TRAN_SPEED

下表定义了每条数据线的最大数据传输速率——TRAN_SPEED:

注意，对于当前的SD存储卡，该字段应始终为0_0110_010b (032h)，等于25MHz - SD存储卡的强制最高工作频率。

在高速模式下，该字段应始终为0 1011 010b (05Ah)，即50MHz当使用CMD6或CMDO命令将定时模式恢复为默认值时，其值为032h。

CCC

SD Memory Card命令集分为多个子集(命令类)。卡命令类寄存器CCC定义了该卡支持哪些命令类。CCC位值为1表示支持相应的命令类。

READ_BL_LEN

最大读数据块长度计算为 因此最大块长度可能在512…2048字节 。

注意，在SD存储卡WRITE_BL_LEN总是等于READ_BL_LEN

READ_BL_PARTIAL(在SD存储卡中总是=1)在SD存储卡中总是允许部分块读取。这意味着更小的块也可以使用。最小块大小为一个字节。

WRITE_BLK_MISALIGN定义要由一个命令写入的数据块是否可以分布在多个物理上存储设备的块。内存块的大小在WRITE_BL_LEN中定义。WRITE_BLK_MISALIGN=0表示跨越物理块边界无效。WRITE_BLK_MISALIGN=1表示允许跨越物理块边界。

READ_BLK_MISALIGN定义一个命令要读取的数据块是否可以分布在内存设备的多个物理块上。内存块的大小在READ_BL_LEN中定义。READ BLK MISALIGN=0表示跨越物理块边界无效。READ_BLK_MISALIGN=1表示允许跨越物理块边界。

DSR_IMP

定义可配置驱动程序阶段是否集成在卡上。如果设置，一个驱动级寄存器(DSR)