为降低EUV光刻成本，SK海力士将转向“4F²”结构的3D DRAM

8月13日消息，据Thelec报道，SK 海力士研究员Seo Jae Wook 周一在韩国首尔举办的产业会议中指出，自从1c纳米制程DRAM 商业化之后，极紫外光（EUV）光刻制程成本将快速攀升，SK海力士计划开发3D DRAM以进一步控制成本。

Seo Jae Wook 认为，现在是确认使用EUV制造DRAM 是否有利可图的时刻，目前公司考虑未来DRAM 制造采用垂直栅极（VG）技术，即所谓的“3D DRAM”。

所谓的垂直栅极技术是DRAM制造商内部所称的“4F²”结构，这是一种经过大量研究的单元阵列结构，其中晶体管以垂直方式堆叠，也就是3D DRAM。三星将这种3D DRAM 称为“垂直通道晶体管”（vertical channel transistor，简称VCT）。

4F²结构从下而上依序为源极（source）、闸极（gate）、汲极（drain）和电容器（capacitor）。字元线（Word Line）连接到闸极，位元线（Bit Line）则连接到源极。与6F² DRAM 相比，采用这种单元阵列可将芯片表面面积减少30%。

知情人士表示，三星和SK 海力士目标是10nm制程以下的DRAM 应用4F²技术。SK 海力士的Seo Jae Wook 认为，采用VG 或3D DRAM 制程设计，可将EUV 制程成本降一半。

三星此前宣布成功将3D DRAM 堆叠到16 层，但表示现在不是量产阶段，而是可行性验证阶段。

编辑：芯智讯-林子