
摘要:本文聚焦切割液多性能协同优化对晶圆 TTV 厚度均匀性的影响。深入剖析切割液冷却、润滑、排屑等性能影响晶圆 TTV 的内在机制,探索实现多性能协同优化的参数设计方法,为提升晶圆切割质量、保障 TTV 均匀性提供理论依据与技术指导。
一、引言
在晶圆切割工艺中,TTV 厚度均匀性是衡量晶圆质量的关键指标,直接影响芯片制造的良率与性能。切割液作为切割过程中的重要介质,其冷却、润滑、排屑等多种性能协同作用,对晶圆 TTV 厚度均匀性有着重要影响。深入研究切割液多性能协同优化的影响机制与参数设计,对优化晶圆切割工艺具有重要意义。
二、切割液性能对晶圆 TTV 厚度均匀性的影响机制
(一)冷却性能的影响
切割过程中会产生大量热量,若切割液冷却性能不足,晶圆局部温度过高,将引发热膨胀变形,导致切割深度不一致,TTV 增大。良好的冷却性能能够快速带走切割热,维持晶圆温度均匀,减少热变形对 TTV 的影响。
(二)润滑性能的作用
切割液的润滑性能可降低刀具与晶圆之间的摩擦。若润滑不足,摩擦增大,切割力波动,易造成刀具磨损不均与切割深度偏差,进而影响 TTV 均匀性。高效的润滑能稳定切割力,保障切割过程平稳,提升 TTV 均匀性。
(三)排屑性能的关联
排屑不畅会使切屑在切割区域堆积,划伤晶圆表面,阻碍切割液正常流动,影响冷却与润滑效果。切割液优异的排屑性能可及时清除切屑,避免切屑干扰切割过程,有助于维持 TTV 均匀性。
三、切割液多性能协同优化的参数设计
(一)成分优化设计
通过调整切割液基础液、添加剂的种类与配比,实现多性能协同提升。例如,添加合适的润滑剂与冷却剂,在保障冷却效果的同时增强润滑性能;引入高效分散剂,提升排屑能力,优化切割液整体性能。
(二)浓度与流量调控
研究不同切割工况下,切割液浓度与流量对多性能协同效果的影响。根据晶圆材料、切割速度等参数,合理调整切割液浓度与流量,确保在不同条件下,切割液的冷却、润滑、排屑性能都能达到良好的协同状态 。
(三)温度与压力参数设定
切割液的工作温度与压力会影响其性能发挥。分析温度、压力变化对切割液流动性、散热性等的影响规律,科学设定温度与压力参数,促进切割液多性能协同优化,保障晶圆 TTV 厚度均匀性。
高通量晶圆测厚系统运用第三代扫频OCT技术,精准攻克晶圆/晶片厚度TTV重复精度不稳定难题,重复精度达3nm以下。针对行业厚度测量结果不一致的痛点,经不同时段测量验证,保障再现精度可靠。

我们的数据和WAFERSIGHT2的数据测量对比,进一步验证了真值的再现性:

(以上为新启航实测样品数据结果)
该系统基于第三代可调谐扫频激光技术,相较传统双探头对射扫描,可一次完成所有平面度及厚度参数测量。其创新扫描原理极大提升材料兼容性,从轻掺到重掺P型硅,到碳化硅、蓝宝石、玻璃等多种晶圆材料均适用:
对重掺型硅,可精准探测强吸收晶圆前后表面;
点扫描第三代扫频激光技术,有效抵御光谱串扰,胜任粗糙晶圆表面测量;
通过偏振效应补偿,增强低反射碳化硅、铌酸锂晶圆测量信噪比;

(以上为新启航实测样品数据结果)
支持绝缘体上硅和MEMS多层结构测量,覆盖μm级到数百μm级厚度范围,还可测量薄至4μm、精度达1nm的薄膜。

(以上为新启航实测样品数据结果)
此外,可调谐扫频激光具备出色的“温漂”处理能力,在极端环境中抗干扰性强,显著提升重复测量稳定性。

(以上为新启航实测样品数据结果)
系统采用第三代高速扫频可调谐激光器,摆脱传统SLD光源对“主动式减震平台”的依赖,凭借卓越抗干扰性实现小型化设计,还能与EFEM系统集成,满足产线自动化测量需求。运动控制灵活,适配2-12英寸方片和圆片测量。
原创声明:本文系作者授权腾讯云开发者社区发表,未经许可,不得转载。
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