有我难受，没我罢工的：偏置电流

电压和电流在电阻的参与下进行变换：

这页是在讲：输入偏置电流流过外部电阻，会变成“等效输入失调电压”，再被闭环增益放大到输出。

电路 & 已知条件

电路是一个 同相放大器：

负端：

R1 = 10 kΩ 接地

Rf = 100 kΩ 接 Vout

正端：Rin = 5 kΩ 接信号源 Vin = 30 mV

运放内部：

负输入偏置电流：

正输入偏置电流：

还给了一个定义：

这是“输入偏移电流”，表示两路 Ib 不匹配的那一部分。

负端：Ibn 流过等效电阻 → 形成等效偏移电压

负端看到的等效电阻，是 R1 与 Rf 的并联：

偏置电流 流过这个电阻，会在负端产生一个等效偏移电压：

直观理解：负端本来应该在“虚地”附近，现在被 Ibn 拉偏了 8.18 µV。

正端：Ibp 流过 Rin → 形成另一部分偏移

正端看到的电阻就是 Rin = 5 kΩ。 偏置电流 流过它，同样产生一个电压：

两边偏移合成“等效输入失调电压”

这两个偏移电压 都会被运放当成“输入失调” 来处理，所以把它们加起来：

这就是“由输入偏置电流引起的 等效输入失调电压”。

（这里假设方向使它们同号；实际最差情况就是按同号相加。）

闭环噪声增益 Gn：把输入偏移放大到输出

对同相放大器，噪声增益（也是输入失调被放大的倍数）为：

所以，偏置电流引起的输入失调被放大后，在输出端表现为：

这就是右下角结果：±134 µV 的输出误差。

这在实际电路里意味着多大误差？

理想情况下，这个放大器的信号路径是：

Vin = 30 mV

同相增益 = 11

理想输出

所以 Ib 引起的输出误差百分比：

在这个例子里还很小，但如果：R 值更大（高阻输入），或Ib 更大（双极性运放 nA 级），或增益更高（几十上百），

那 Ib 造成的偏移就会变成 mV 甚至 % 级别的误差。

一句话总结

输入偏置电流 × 它看到的电阻 = 等效输入偏移电压，再乘以噪声增益就是输出偏移。 所以高阻抗传感器 + 大电阻网络时，要么选 极小 Ib 的 CMOS / JFET / 斩波运放，要么用电阻配平、补偿掉这部分 Ib 误差。