美国商务部1.5亿美元注资xLight，加速EUV-FEL光源研发

当地时间12月1日，英特尔前CEO帕特·基辛格领导的极紫外光（EUV）光源系统初创公司xLight宣布，已与美国商务部签署意向书（LOI），将根据《芯片与科学法案》获得1.5亿美元的联邦激励资金。这是特朗普政府芯片研发办公室（CRDO）的首笔拨款，表明下一代光刻技术是特朗普政府重振美国半导体制造业的首要任务。此举可能将使得美国政府成为xLight最大股东。

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△xLight的粒子加速器

xLight首席执行官兼首席技术官尼古拉斯·凯莱兹表示：“半导体制造的未来取决于光刻技术，我们非常感谢特朗普政府、卢特尼克部长和达巴尔副部长的支持，以及他们推动创新、重塑美国在先进半导体制造领域领导地位的远见卓识。在商务部、投资者和开发伙伴的支持下，xLight正在奥尔巴尼纳米技术中心建设其首个自由电子激光系统，该中心拥有世界一流的光刻技术，将助力研发工作，从而定义芯片制造的未来。”

xLight 执行董事长兼 Playground Global 普通合伙人 Pat Gelsinger 表示：“重振摩尔定律，重塑美国在光技术领域的领导地位，是千载难逢的机遇。在联邦政府的支持下，xLight 将把这一机遇变为现实。打造一款比现有技术性能提升十倍的节能型极紫外激光器，将引领摩尔定律迈入新时代，加速晶圆厂的生产效率，同时发展一项至关重要的国内技术能力。”

美国商务部长霍华德·卢特尼克表示：“长期以来，美国在先进光刻技术方面一直将领先地位拱手让给其他国家。但在特朗普总统的领导下，这种情况已经改变。通过此次合作，我们正在支持一项能够从根本上改写芯片制造极限的技术。最重要的是，我们正在本土完成这项工作。xLight公司的FEL平台代表着一种突破性创新，它能够重塑美国的领导地位，保障我们的供应链，并确保下一代半导体诞生于美国。这正是CHIPS计划的最佳体现。”

美国商务部副部长保罗·达巴尔表示：“商务部和其他联邦合作伙伴的参与将有助于验证并快速加速这种新型国产光源的商业化，该光源可用于当前和未来最先进的半导体光刻技术。”

xLight表示，下一步，公司将与美国商务部以及奥尔巴尼纳米技术园区的合作伙伴开展合作；更多细节将在未来几个月内公布。

目前光刻机巨头ASML的EUV光刻机所采用的是EUV光源系统，正是基于被称为激光等离子体EUV光源（LPP），其原理是通过30kW功率的二氧化碳激光器轰击以每秒50000滴的速度从喷嘴内喷出的锡金属液滴，每滴两次轰击（即每秒需要10万个激光脉冲），将它们蒸发成等离子体，通过高价锡离子能级间的跃迁获得13.5nm波长的EUV光线。

但是，正是由于EUV-LPP系统需要依靠功率强大高能激光脉冲来蒸发微小的锡滴（在 500,000ºC 下），使得其整个光源系统不仅庞大复杂，且功耗巨大，所产生的EUV光源的功率也有限，这也是导致当前EUV光刻机成本高昂的一大原因。目前全球仅有头部的少数的晶圆制造厂商能够用的其这种单价高达约1.5亿美元的EUV光刻机，主要用于7nm以下的先进制程芯片的制造。值得一提的是，该系统发射极紫外光的同时会产生碎屑而污染反射镜。

近年来，美国、中国、日本等国家的研究机构为了都有在研发新的基于直线电子加速器的自由电子激光（FEL）技术的EUV光源系统，希望绕过ASML所采用的EUV-LPP技术路线，大幅降低EUV光源的系统的成本。其中，基于自由电子激光器（FEL）技术的EUV光源方案被寄予厚望。

xLight就是一家面向EUV光刻机开发基于直线电子加速器的自由电子激光 （FEL） 技术的EUV光源系统的初创公司。据介绍，xLight 研发的EUV-FEL光源系统的功率也达到了当今最先进EUV光源系统的四倍，即1000W左右，号称可以将每片晶圆的光刻成本降低约 50%，并且单个 xLight 的EUV-FEL光源系统可以支持多达 20 台EUV光刻机使用，光源系统的使用寿命为 30 年，可以将资本和运营支出减少 3 倍以上，还可以保持与现有设备的兼容性。xLight计划在2028年实现商用。

值得注意的是今年7月22日，xLight还曾宣布，已完成超额认购的4000万美元B轮融资。该轮融资由专注于投资前沿技术突破性创业者的早期风险投资公司Playground Global领投，投资管理公司Boardman Bay Capital Management跟投，Morpheus Ventures、Marvel Capital和IAG Capital Partners也参与了本轮融资。这笔资金将进一步助力xLight开发EUV-FEL光源系统。

编辑：芯智讯-浪客剑