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nor flash写保护

下主面要介绍下nor flash写保护,这个是可以在驱动层面做的。 nor写保护 写保护是nor提供的功能,即可以通过配置一些寄存器,将某些区域保护起来。...BP保护 大多数nor flash支持使用BP位来配置写保护,这种保护的特点是其保护的数据是成片的,一般是从flash头部开始的一片数据,或者从flash尾部开始的一片数据。...独立块保护 除了普遍支持的BP写保护,也就是分片保护之外,有些flash还提供了更细粒度的写保护,即独立块保护(individual block protect)。...对于BP保护来说,为了解开A的写保护,必须解开一片区域。假如A处于flash的中间位置,那么解保护的范围会接近1/2 flash的范围。...当然,具有独立块保护功能的flash,其成本肯定要高些,售价一般也会高一些吧。 小结 flash掉电会有误擦误写的风险,写保护只是降低误擦误写的概率,并不能完全解决。

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nor flash写保护开销

背景 之前有介绍过写保护,这里就不赘述了,可参考:https://www.cnblogs.com/zqb-all/p/12182920.html 但没有谈到开销,今天有同事问起,便记录一下 性能 不考虑写保护的...p/12011436.html bp保护的开销 bp保护,一般都需要写Status Register,这种寄存器是一般是non-volatile,即非易失性,也就是写入后掉电值不会丢失重置,就像写入了flash...放两家flash的规格书截图供参考,请看其中的tw值: [5kuo3knds8.png] [pr0xd9ij08.png] ms级别的开销意味着,如果在每次写入之前解保护,写入之后恢复保护,会对写性能造成很大的影响...每次发送的解保护命令和保护命令,导致的状态改变是volatile,即易失性的,掉电后就会被清空,上电时flash总是处于全保护的状态。...每个block的保护状态标记,其实是记录在sram中的,不需要固化到flash中,其开销是ns级别的,这个规格书中没有标注,但可以向厂商了解或自行实测。

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linux nand flash驱动编写

很长一段时间,nand flash都是嵌入式的标配产品。nand flash价格便宜,存储量大,适用于很多的场景。现在很普及的ssd,上面的存储模块其实也是由一块一块nand flash构成的。...对于linux嵌入式来说,开始uboot的加载是硬件完成的,中期的kernel加载是由uboot中的nand flash驱动完成的,而后期的rootfs加载,这就要靠kernel自己来完成了。...1、nand flash驱动在什么地方,可以从drviers/mtd/Makefile来看 obj-y += chips/ lpddr/ maps/ devices/ nand/ onenand/...tests/ 2、nand在mtd下面,是作为一个单独目录保存的,这时应该查看nand下的Kconfig config MTD_NAND_S3C2410 tristate "NAND Flash...for Samsung S3C SoCs" depends on ARCH_S3C24XX || ARCH_S3C64XX help This enables the NAND flash

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STM8S——Flash program memory and data EEPROM

1、简介   STM8S内部的FLASH程序存储器和数据EEPROM是由一组通用寄存器来控制的;所以我们可以通过这些通用寄存器来编程或擦除存储器的内容、设置写保护、或者配置特定的低功耗模式。...2、存储架构图 STM8S内部存储包括:FLASH程序存储器(FLASH program memory)和数据EEPROM(DATA EEPROM); (1)数据EEPROM又包括: 数据存储区域(DATA...ADDRESS处 (3)FLASH_EraseByte( ADDRESS ):在地址ADDRESS处删除1字节的内容 4、操作步骤 使用操作前的配置 (1)配置选择编程时间,选择标准模式; (2)解除数据存储区域的写保护...; 说明:UBC和DATA MEMORY都有写保护,其中UBC的写保护是永远无法解锁的,而DATA MEMORY的写保护是可以通过连续写入两个MASS密钥值来解除该区域的写保护的;第一个密钥为0x56,...第二个密钥为0xAE;只有当两个密钥输入正确(输入到寄存器FLASH_DUKR中)且输入密钥的先后顺序正确时,才会解除写保护;否则该区域在下一次系统复位之前都将一直保持写保护状态。

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STM32系统中2种数据掉电保护的方法

它分为 NOR FLASH 和 NAND FLASH,NOR FLASH一般应用在代码存储的场合,如嵌入式控制器内部的程序存储空间;而 NAND FLASH 一般应用在大数据量存储的场合,如U 盘以及固态硬盘等...在stm32芯片中,Flash的读写单位都是以“页”为单位的,以STM32F103C8T6为例,它的每页大小为2K bytes; 软件编程要点 读写保护解除:使用这种方法前提是,当前读和写Flash的允许的...,假设当前flash已经是允许写的。...所以暂时一些关于OptionBytes的操作和Flash的读写保护操作等API暂时不做讨论。...考虑到flash写保护的逻辑机制,该方法最好在不考虑数据的安全性问题前提下,才使用这种方法。 对于诸如此类的掉电保护数据方法,这里仅仅是抛砖引玉,欢迎大家多多提出更好的方案。

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NAND FLASH 和NOR FLASH的区别

Intel于1988年首先开发出NOR flash技术,彻底改变了原先由EPROM和EEPROM一统天下的局面。...紧接着,1989年,东芝公司发表了NAND flash结构,强调降低每比特的成本,更高的性能,并且象磁盘一样可以通过接口轻松升级。...应用NAND的困难在于flash的管理和需要特殊的系统接口。 任何flash器件的写入操作只能在空或已擦除的单元内进行,所以大多数情况下,在进行写入操作之前必须先执行擦除。...一般地址线和数据线共用,对读写速度有一定影响;而NOR Flash闪存数据线和地址线分开,所以相对而言读写速度快一些。...NAND FLASH和NOR FLASH的共性 NAND和NOR芯片的共性首先表现在向芯片中写数据必须先将芯片中对应的内容清空,然后再写入,也就是通常说的“先擦后写”。

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