RAM和ROM总结 一、在解释之前先备注一些缩写的全称便于记忆： 1、EPROM：（Electrically Programmable Read-Only-Memory）电可编程序只读存储器 ...和RAM指的都是半导体存储器，ROM是Read Only Memory的缩写，RAM是Random Access Memory的缩写。 ...ROM在系统停止供电的时候仍然可以保持数据，而RAM通常都是在掉电之后就丢失数据，典型的RAM就是计算机的内存。 ...4、ROM也有很多种， PROM是可编程的ROM，PROM和EPROM（可擦除可编程ROM） 两者区别是，PROM是一次性的，也就是软件灌入后，就无法修改了，这种是早期的产品，现在已经不可能使用了...5、FLASH存储器又称闪存 它结合了ROM和RAM的长处，不仅具备电子可擦除可编程（EEPROM）的性能，还不会断电丢失数据同时可以快速读取数据（NVRAM的优势），U盘和MP3里用的就是这种存储器
ROM和RAM指的都是半导体存储器。ROM是Read OnlyMemory的缩写，RAM是Random Access Memory的缩写。...ROM在系统停止供电的时候仍然可以保持数据，而RAM通常都是在掉电之后就丢失数据，典型的RAM就是计算机的内存。 RAM RAM 有两大类。...在很多高端的显卡上，也配备了高速DDR RAM来提高带宽，这可以大幅度提高3D加速卡的像素渲染能力。 ROM ROM：只读存储器的总称。...（现在用的最多，小型存储器） Flsah FLASH 存储器又称闪存，它结合了ROM和RAM的长处，不仅具备电子可擦除可编程（EEPROM）的性能，还不会断电丢失数据同时可以快速读取数据（NVRAM 的优势...目前Flash主要有两种 ,NOR Flash （小、贵）和 NADN Flash （大，便宜）。NAND FLASH和NOR FLASH 都是现在用得比较多的非易失性闪存(ROM)。
该属性有4个值：block（将RAM映射为Block RAM）、distributed（将RAM映射为分布式资源）、registers（指导工具推断为寄存器而非RAM）和ultra（将RAM映射为UltraRAM...对于如下图所示的RAM，如果ram_style为distributed，则消耗267个LUT和16个FF；如果ram_style为Block，则消耗1个18Kb的Block RAM。 ? ?...例如，当RAM小于10K bit时，分布式RAM在功耗和速度上更有优势；当设计中LUT利用率很高时，如果Block RAM资源利用率不高，可以把分布式RAM转换为Block RAM，从而释放出一部分LUT...类似地，rom_style则是引导综合工具将ROM采用不同的资源实现。其可选值有两个：block和distributed。这是因为UltraRAM不能用做ROM。...结论 -ram_style和rom_style都可将存储单元映射为BlockRAM或分布式RAM -手工编写HDL代码的优势在于结合ram_style/rom_style可灵活地将RAM或ROM根据设计需求映射为不同的资源
、电子介质存储器、纸介质存储器、光介质存储器等概念 按存取方式分类可分为随机存储器(Random Access Memory， RAM)只读存储器 (Read Only Memory， ROM)串行访问存储器...概念 按信息的可保护性分类可分为易失性存储器和非易失性存储器RAM都是易失性存储器ROM都是非易失性存储器性能指标概念 存储器存取时间从存储器读出/写入一个存储单元信息，或从存储器读出/写入一次信息(信息可能是一个字节或一个字...概念RAM (Random Access Memory)被称为随机存取存储器。...可以向 RAM 写入数据，也可以从 RAM 读出数据RAM 的一个明显的特点是: 它是易失性存储器一般来说RAM有两种: SRAM、DRAMSRAMSRAM 存储1个位，需要 6 个晶体管，因此 SRAM...MROM狭义的ROM单指掩膜型只读存储器 (MROM，Mask ROM)在制造ROM存储知阵时，如果生产量较大，一般要根据对存储内容的要求设计掩膜版，用这种工艺制作出来的ROM就叫作掩膜POM。
区别之2 dram使用根灵活方便些 区别之3 bram有较大的存储空间，dram浪费LUT资源 1.物理上看，bram是fpga中定制的ram资源，dram就是用逻辑单元拼出来的。...2.较大的存储应用，建议用bram；零星的小ram，一般就用dram。但这只是个一般原则，具体的使用得看整个设计中资源的冗余度和性能要求。...3.dram可以是纯组合逻辑，即给出地址马上出数据，也可以加上register变成有时钟的ram。而bram一定是有时钟的。 4.较大的存储应用，建议用bram；零星的小ram，一般就用dram。...但这只是个一般原则，具体的使用得看整个设计中资源的冗余度和性能要求。 5.dram可以是纯组合逻辑，即给出地址马上出数据，也可以加上register变成有时钟的ram。而bram一定是有时钟的。...否则，就可以用Distributed RAM。
您的硬盘是您的主要存储设备，它保存着您的操作文件和个人文件，那里的信息量会影响您的计算机的速度。 幸运的是，您的系统还可以利用另外两种内存类型来保存您的信息，RAM和ROM。...传统上，ROM数据是在芯片生产和硬连接时添加的。然而，只读存储器已经发展起来了，现在有一些选项支持擦除和重写芯片上的数据。虽然它的效率不如RAM，但它是一种选择。...RAM和ROM的主要区别是什么？ 很明显，RAM和ROM是两种不同的存储方式，下面我们就来分析一下它们的主要区别和你需要了解的地方。 数据存储 RAM数据不是永久存储在系统上的，它可以被无限期地改变。...对于ROM来说，情况就不一样了。 要访问ROM信息，你的系统将首先把这些数据复制到RAM中，然后允许你读取它。 文件大小和存储量 RAM数据占用的空间大，但它的容量也比较大。...也就是说，这些是一个非常便宜和可行的选择，可以给你更多的存储空间，如果你的电源意外断电，它不会消失。 最后的结论 当你比较RAM和ROM时，很容易看出它们都有各自的优点和缺点。
module rom(addr,data); input[3:0] addr; output[7:0] data; function[7:0] romout; input[3:0] addr; case
作为CLB的基本单元，Slice分为SliceL和SliceM两种类型，SliceL即Slice of Logice，可用于产生逻辑、算数、rom等。...Xilinx的FPGA中包含Distributed RAM和Block RAM两种寄存器，Distributed RAM需要使用SliceM，所以要占用CLB中的逻辑资源，而Block RAM是单独的存储单元...用户申请资源时，FPGA先提供Block RAM，当Block RAM不够时再提供分布式RAM进行补充。...Block RAM是单独的RAM资源，一定需要时钟，而Distributed RAM可以是组合逻辑，即给出地址马上给出数据，也可以加上register变成有时钟的RAM，而Block RAM一定是有时钟的...5、 在异步fifo ，用两种RAM可供选择，BRAM和DRAM，BRAM是FPGA中整块的双口RAM资源，DRAM是拼接LUT构成。
在数字系统中，由于ROM掉电后数据不会丢失，因此ROM单元也有着更广泛的应用。 对于容量不大的ROM，在Verilog HDL中可以通过case语句来实现。下面给出一个8×8位 的ROM设计实例。...module rom( clk,cs_n,addm,dout ); input clk; input cs_n; input [2:0]addm; output [7:0]dout;
单口RAM 只有一套数据总线、地址总线和读写控制线，因此当多个外设需要访问同一块单口RAM 时，需要通过仲裁电路来判断。 单口RAM，只有一套地址总线，读和写是分开（至少不能在同一个周期内完成）。...下面给出一个8× 8 位RAM 的设计实例。...module ram_single( clk,addm,cs_n,we_n,din,dout ); input clk; input [2:0]addm; input cs_n; input...we_n; input [7:0]din; output [7:0]dout; reg [7:0]dout; reg [7:0]ram_s[7:0]; always @( posedge clk...) begin if(cs_n) dout<=8'b0000_0000; else if(we_n)//read doutram_s[addm]; else//write ram_s[addm]
*0001=8'b00000010） 这种情况下使用的ROM比较大，所以在时序要求不严格的时候可以用时钟换面积，例如对于8位*8位的ROM乘法器，我们将其拆成乘数1高4位，低4位和乘数2高4位低4位两两相乘...高四位和高四位相乘后结果向左位移4位，高四位和低四位相乘结果往左移2位，低四位和低四位相乘结果不变累加（就是手算乘法常用的套路）可得在四个（最少）时钟周期后得到结果，使用的ROM可由16*16降到4*4..._4")) 代码很简单，除了开头和结尾以外，就是对于批量化生成需要的\t\t%s\'d%s:dout = %s\'d%s; 测试平台 测试时使用SystemVerilog编写的测试平台，使用*运算符和自己的模块的输出相比较...(rom_dout), .rom_address(rom_address), .dout(dout) ); ROM_4 u_ROM_4( .addr(rom_address),....dout(rom_dout) ); endmodule Testbench testbench由单个ROM的Testbench加入时钟和开始信号等改进而来 `timescale 1ns/1ps
在RAM中，单端口RAM（Single-port RAM）和双端口RAM（Dual-port RAM）是两种常见的类型，双端口RAM又分为真双端口（True dual-port RAM）和伪双端口RAM...那么什么是单端口和双端口？又该如何区分真双端口和伪双端口？ 单端口RAM（Single-port RAM）： 输入只有一组数据线和一组地址线，读写共用地址线，输出只有一个端口。...伪双端口RAM可以提供并行读写操作，避免了传统单端口RAM的等待时间，因此有更快的访问速度和响应时间。...如下图所示： 图片 真双端口RAM（True dual-port RAM）： 输入有两组地址线和两组数据线，输出有两个端口。...实际上FIFO可由伪双端口RAM例化而成。 RAM和FIFO中的深度（Depth）和宽度（Width）指的是什么？ 除了弄清单端口与双端口的区别，还得理解存储器最重要的两个参数——位宽、深度。
RAM latency is CL-tRCD-tRP-tRAS-CMD latency....CAS Latency (CL) Impact on RAM Speed As previously mentioned, CAS Latency (CL) is the best known memory...clock cycle can be easily calculated through the formula: T = 1 / f RAS to CAS Delay (tRCD) Impact on RAM...RAS Precharge (tRP) Impact on RAM Speed After data is gathered from the memory, a command called Precharge...Other Parameters Impacting RAM Timings Let’s take a better look at the other two parameters, Active to
官方网站:Revengeos.com 缘由 当更换了红米K20 Pro后，自己的小米6就开始吃灰了（雾），一天在酷安上意外刷到这个ROM，看了下配色就突然喜欢上了，酷友分享的是5x的，我去官网查看后居然发现有小米...过程 刷机的过程有一点点不愉快，因为稳定版MIUI的原因，底包并不支持这个ROM，导致试水的Pixel Experience 刷入时提醒了错误7，解决办法戳这里！...设置内可以修改相机类型，内置MIUI相机和谷歌相机，当然首选谷歌啦~但是要去设置中修改（默认是MIUI） 系统的logo我感觉是比较科幻感，开机动画也是一个涡轮，就是“S”这个字母。
（只是可能会涉及的驱动开发以及CPU、存储容量的制约） 2、Android系统结构 接下来就说一说Android系统的结构，对于Android系统结构的了解对于Android软件开发和ROM制作都非常重要...文件夹没有列出 （4）ROM结构 对于HD2来说，其ROM（不论模拟还是直刷）主要由initrd、zImage、system组成。...里面还有和APK文件名称相应的odex文件。...——编译 假设仅仅是定制ROM而不是自己从头做ROM（那样太费精力，一是麻烦，而是不是必需，一般这种工作都由大神级人物替咱们完毕）， 那么这部分是没有必要看的。...所以，单纯的按上面编译，可由代码变成刷机须要的原始文件（即zImage和前面楼层所讲的Android ROM的文件夹结构） 可是，注定会出这样那样的问题，甚至无法执行（卡死或重复重新启动）。
---- Android是开源的，不同的手机厂商都有自己定制的系统，所以这就给开发者带来了ROM适配难题。...在一些群里面经常看到有人因为手机适配问题，说这个手机坑，那个手机坑，其实那是没有对ROM定制系统的一些变更了解，导致了盲目的说出这些指责的话。如果你熟悉了，也就会少走很多弯路。...下面这篇文章就来讲一下几个主流手机的ROM适配问题。 ?...网上有人说出了一种原因和一种 解决方案：当应用的权限发生变化的时候，华为手机发出广播，导致应用重新启动。...4、oppo手机的R9系列和A系列的5.1系统存在严重的bug，类似以下这种的gc导致的释放超时很多。 ?
Ram Disk，顾名思义，就是在Ram里创建的Disk。 优点 读写速度快。当然了，比IDE、Flash不知要快多少倍 不依赖外存。什么本地存储、网络存储，都可以没有。...尤其VxWorks自己在运行时，本来就不依赖文件系统，因此没有其它物理存储介质的情景还是很多的 反正VxWorks的Ram闲着也是闲着，别让它偷懒了 缺点 数据易失。掉电就什么都没有了。...Ram本来就不会很大，而且32位VxWorks的能够留给用户的Ram也就3GB左右 有了Disk，它还只是一个Device，一般在使用时，还要在Disk上创建块设备，并将这个块设备格式化。...不同版本的VxWorks提供的API略有不同，今天来看看Vx55和Vx69
RAM刷新有三种: 1、集中式刷新在一个刷新周期内（2ms），先让存储器读写，然后集中刷新，这样就存在死区问题，如果是存取周期为2us的话，这样对于64*64的存储矩阵来说，集中刷新为128us，死区时间也为
以UltraScale芯片为例，每个Block RAM为36Kb，由两个独立的18Kb Block RAM构成，如下图所示。 ? 每个18Kb Block RAM架构如下图所示。...从图中可以看出，Block RAM本身会对输入控制信号（addr, we, en）和输入数据（din）进行寄存（这些寄存器是可选的且在Block RAM内部），同时对输出也可寄存（该寄存器也是可选的）。...Block RAM自带的寄存器（Embedded Registers）对系统性能有很大影响，以VirtexUltraScale Plus芯片为例，在使用该寄存器和未使用该寄存器时，Tco（时钟到输出延迟...（图片来源ds923,table 28） 在综合后的网表中，选中设计中的Block RAM，在其Property窗口中，查看DOA_REG和DOB_REG，若其为0，则说明未使用Embedded Registers...当设计要求Latency为2时，Primitives Output Register和Core Output Register选取其一即可。
下面给出一个128× 8 位双口RAM 的Verilog HDL 设计实例。...module ram_double( q,addr_in,addr_out,d,we,clk1,clk2 ); output [7:0]q; input [7:0]d; input [6:
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