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ROMRAM的区别

ROMRAM指的都是半导体存储器。ROM是Read OnlyMemory的缩写,RAM是Random Access Memory的缩写。 ROM在系统停止供电的时候仍然可以保持数据,而RAM通常都是在掉电之后就丢失数据,典型的RAM就是计算机的内存。 RAM RAM 有两大类。 在很多高端的显卡上,也配备了高速DDR RAM来提高带宽,这可以大幅度提高3D加速卡的像素渲染能力。 ROM ROM:只读存储器的总称。 (现在用的最多,小型存储器) Flsah FLASH 存储器又称闪存,它结合了ROMRAM的长处,不仅具备电子可擦除可编程(EEPROM)的性能,还不会断电丢失数据同时可以快速读取数据(NVRAM 的优势 目前Flash主要有两种 ,NOR Flash (小、贵) NADN Flash (大,便宜)。NAND FLASHNOR FLASH 都是现在用得比较多的非易失性闪存(ROM)。

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Vivado综合属性:RAM_STYLEROM_STYLE

该属性有4个值:block(将RAM映射为Block RAM)、distributed(将RAM映射为分布式资源)、registers(指导工具推断为寄存器而非RAMultra(将RAM映射为UltraRAM 对于如下图所示的RAM,如果ram_style为distributed,则消耗267个LUT16个FF;如果ram_style为Block,则消耗1个18Kb的Block RAM。 ? ? 例如,当RAM小于10K bit时,分布式RAM在功耗速度上更有优势;当设计中LUT利用率很高时,如果Block RAM资源利用率不高,可以把分布式RAM转换为Block RAM,从而释放出一部分LUT 类似地,rom_style则是引导综合工具将ROM采用不同的资源实现。其可选值有两个:blockdistributed。这是因为UltraRAM不能用做ROM。 结论 -ram_stylerom_style都可将存储单元映射为BlockRAM或分布式RAM -手工编写HDL代码的优势在于结合ram_style/rom_style可灵活地将RAMROM根据设计需求映射为不同的资源

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    FPGA block RAMdistributed RAM区别

    区别之2 dram使用根灵活方便些 区别之3 bram有较大的存储空间,dram浪费LUT资源 1.物理上看,bram是fpga中定制的ram资源,dram就是用逻辑单元拼出来的。 2.较大的存储应用,建议用bram;零星的小ram,一般就用dram。但这只是个一般原则,具体的使用得看整个设计中资源的冗余度性能要求。 3.dram可以是纯组合逻辑,即给出地址马上出数据,也可以加上register变成有时钟的ram。而bram一定是有时钟的。 4.较大的存储应用,建议用bram;零星的小ram,一般就用dram。 但这只是个一般原则,具体的使用得看整个设计中资源的冗余度性能要求。 5.dram可以是纯组合逻辑,即给出地址马上出数据,也可以加上register变成有时钟的ram。而bram一定是有时钟的。 否则,就可以用Distributed RAM

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    FPGA逻辑设计回顾(11)FPGA以及PC中的RAMROM

    您的硬盘是您的主要存储设备,它保存着您的操作文件个人文件,那里的信息量会影响您的计算机的速度。 幸运的是,您的系统还可以利用另外两种内存类型来保存您的信息,RAMROM。 传统上,ROM数据是在芯片生产硬连接时添加的。然而,只读存储器已经发展起来了,现在有一些选项支持擦除重写芯片上的数据。虽然它的效率不如RAM,但它是一种选择。 RAMROM的主要区别是什么? 很明显,RAMROM是两种不同的存储方式,下面我们就来分析一下它们的主要区别和你需要了解的地方。 数据存储 RAM数据不是永久存储在系统上的,它可以被无限期地改变。 对于ROM来说,情况就不一样了。 要访问ROM信息,你的系统将首先把这些数据复制到RAM中,然后允许你读取它。 文件大小存储量 RAM数据占用的空间大,但它的容量也比较大。 也就是说,这些是一个非常便宜可行的选择,可以给你更多的存储空间,如果你的电源意外断电,它不会消失。 最后的结论 当你比较RAMROM时,很容易看出它们都有各自的优点缺点。

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    ROM

    module rom(addr,data); input[3:0] addr; output[7:0] data; function[7:0] romout; input[3:0] addr; case

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    Block RAM与Distributed RAM

    作为CLB的基本单元,Slice分为SliceLSliceM两种类型,SliceL即Slice of Logice,可用于产生逻辑、算数、rom等。 Xilinx的FPGA中包含Distributed RAMBlock RAM两种寄存器,Distributed RAM需要使用SliceM,所以要占用CLB中的逻辑资源,而Block RAM是单独的存储单元 用户申请资源时,FPGA先提供Block RAM,当Block RAM不够时再提供分布式RAM进行补充。 Block RAM是单独的RAM资源,一定需要时钟,而Distributed RAM可以是组合逻辑,即给出地址马上给出数据,也可以加上register变成有时钟的RAM,而Block RAM一定是有时钟的 5、 在异步fifo ,用两种RAM可供选择,BRAMDRAM,BRAM是FPGA中整块的双口RAM资源,DRAM是拼接LUT构成。

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    ROM 单元

    在数字系统中,由于ROM掉电后数据不会丢失,因此ROM单元也有着更广泛的应用。 对于容量不大的ROM,在Verilog HDL中可以通过case语句来实现。下面给出一个8×8位 的ROM设计实例。 module rom( clk,cs_n,addm,dout ); input clk; input cs_n; input [2:0]addm; output [7:0]dout;

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    oblivious RAM

    ORAM基于RAM。ORAM是一种加密协议,它允许客户端将数据安全地存储在不受信任的服务器上。 RAM是一种重要的计算模拟方法.处理器通过对存储器的读写来实现程序的执行.上个世纪80年代,为了隐藏程序对内存的访问模式(处理器访问内存的操作序列地址序列)来避免软件的逆向工程,Goldriche 等人在此基础上提出了 (CPU上面存储元素x位置l的映射关系。l是这棵树的叶子节点。x在这条路径中的某个节点上存着。) ? (写入数据时,随机一个路径r,在cpu中保存元素x新的路径r的映射关系。) ? (写入的时候不要写在叶子节点路径中的节点上,还是要写在根节点处,否则会被看出两条路径有联系。) ? 树状模型优点: (1) 每一次驱逐操作只与当前节点其父子节点产生关联,降低了驱逐操作的复杂度; (2) 相比于平方根模型层次模型,降低了最坏情况的复杂度。

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    单口RAM

    单口RAM 只有一套数据总线、地址总线读写控制线,因此当多个外设需要访问同一块单口RAM 时,需要通过仲裁电路来判断。 单口RAM,只有一套地址总线,读写是分开(至少不能在同一个周期内完成)。 下面给出一个8× 8 位RAM 的设计实例。 module ram_single( clk,addm,cs_n,we_n,din,dout ); input clk; input [2:0]addm; input cs_n; input we_n; input [7:0]din; output [7:0]dout; reg [7:0]dout; reg [7:0]ram_s[7:0]; always @( posedge clk ) begin if(cs_n) dout<=8'b0000_0000; else if(we_n)//read dout<=ram_s[addm]; else//write ram_s[addm]

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    ROM乘法器基本算法单个ROM乘法器分时复用ROM乘法器

    *0001=8'b00000010) 这种情况下使用的ROM比较大,所以在时序要求不严格的时候可以用时钟换面积,例如对于8位*8位的ROM乘法器,我们将其拆成乘数1高4位,低4位乘数2高4位低4位两两相乘 高四位高四位相乘后结果向左位移4位,高四位低四位相乘结果往左移2位,低四位低四位相乘结果不变累加(就是手算乘法常用的套路)可得在四个(最少)时钟周期后得到结果,使用的ROM可由16*16降到4*4 _4")) 代码很简单,除了开头结尾以外,就是对于批量化生成需要的\t\t%s\'d%s:dout = %s\'d%s; 测试平台 测试时使用SystemVerilog编写的测试平台,使用*运算符自己的模块的输出相比较 (rom_dout), .rom_address(rom_address), .dout(dout) ); ROM_4 u_ROM_4( .addr(rom_address), .dout(rom_dout) ); endmodule Testbench testbench由单个ROM的Testbench加入时钟开始信号等改进而来 `timescale 1ns/1ps

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    Understanding RAM Timings

    RAM latency is CL-tRCD-tRP-tRAS-CMD latency. CAS Latency (CL) Impact on RAM Speed As previously mentioned, CAS Latency (CL) is the best known memory clock cycle can be easily calculated through the formula: T = 1 / f RAS to CAS Delay (tRCD) Impact on RAM RAS Precharge (tRP) Impact on RAM Speed After data is gathered from the memory, a command called Precharge Other Parameters Impacting RAM Timings Let’s take a better look at the other two parameters, Active to

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    Android ROM 制作教程

    (只是可能会涉及的驱动开发以及CPU、存储容量的制约) 2、Android系统结构 接下来就说一说Android系统的结构,对于Android系统结构的了解对于Android软件开发ROM制作都非常重要 文件夹没有列出 (4)ROM结构 对于HD2来说,其ROM(不论模拟还是直刷)主要由initrd、zImage、system组成。 里面还有APK文件名称相应的odex文件。 ——编译 假设仅仅是定制ROM而不是自己从头做ROM(那样太费精力,一是麻烦,而是不是必需,一般这种工作都由大神级人物替咱们完毕), 那么这部分是没有必要看的。 所以,单纯的按上面编译,可由代码变成刷机须要的原始文件(即zImage前面楼层所讲的Android ROM的文件夹结构) 可是,注定会出这样那样的问题,甚至无法执行(卡死或重复重新启动)。

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    Utility之Ram Disk

    Ram Disk,顾名思义,就是在Ram里创建的Disk。 优点 读写速度快。当然了,比IDE、Flash不知要快多少倍 不依赖外存。什么本地存储、网络存储,都可以没有。 尤其VxWorks自己在运行时,本来就不依赖文件系统,因此没有其它物理存储介质的情景还是很多的 反正VxWorks的Ram闲着也是闲着,别让它偷懒了 缺点 数据易失。掉电就什么都没有了。 Ram本来就不会很大,而且32位VxWorks的能够留给用户的Ram也就3GB左右 有了Disk,它还只是一个Device,一般在使用时,还要在Disk上创建块设备,并将这个块设备格式化。 不同版本的VxWorks提供的API略有不同,今天来看看Vx55Vx69

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    Android适配全面总结(三)----ROM适配

    ---- Android是开源的,不同的手机厂商都有自己定制的系统,所以这就给开发者带来了ROM适配难题。 在一些群里面经常看到有人因为手机适配问题,说这个手机坑,那个手机坑,其实那是没有对ROM定制系统的一些变更了解,导致了盲目的说出这些指责的话。如果你熟悉了,也就会少走很多弯路。 下面这篇文章就来讲一下几个主流手机的ROM适配问题。 ? 网上有人说出了一种原因一种 解决方案:当应用的权限发生变化的时候,华为手机发出广播,导致应用重新启动。 4、oppo手机的R9系列A系列的5.1系统存在严重的bug,类似以下这种的gc导致的释放超时很多。 ?

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    双口同步RAM

    下面给出一个128× 8 位双口RAM 的Verilog HDL 设计实例。 module ram_double( q,addr_in,addr_out,d,we,clk1,clk2 ); output [7:0]q; input [7:0]d; input [6:

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    Xilinx的分布式RAMRAM——单口、双口、简单双口、真双口的区别

    对于 分布式 RAM,支持简单双口 RAM 双口 RAM,不能配置成真双口 RAM。 问题在于:Xilinx 给出的 DRAM(分布式 RAM)支持双口,我把双口认为包含真双口了,不对。 对于 BRAM(Block RAM,块 RAM) 在 BRAM Controller 控制器下,支持单口 RAM、真双口 RAM、单口 ROM 双口 ROM; 在不使用 AXI 的控制器情况下 ,支持单口 RAM、简单双口 RAM、真双口 RAM,单口 ROM 双口 ROM。 单口 ROM 双口 ROM 双口 ROM 可以看成是 2 个单口拼起来的,且 2 个单口共享存储区。 ? 对于 DRAM(Distribute RAM,分布式 RAM) ? ROM 给地址,出对应地址的数据,没有时钟 ? RAM:支持单口、简单双口、双口。 (注意!这里的双口真双口不同,DRAM 不支持真双口 RAM) ?

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    HLS Lesson18-定义ROM

    定义一个ROM (1)const + initial value 优点:简单易操作 缺点:如果初始化的值过多的话,这样代码会繁琐,引起管理混乱 (2)使用头文件的方式 ? *.h文件需要单独占一行,文件里面是数据(中间用逗号隔开,最后一个数据后面是空格) (3)ROM里面的存储值是数学表达式

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    Block RAM的基本结构

    以UltraScale芯片为例,每个Block RAM为36Kb,由两个独立的18Kb Block RAM构成,如下图所示。 ? 每个18Kb Block RAM架构如下图所示。 从图中可以看出,Block RAM本身会对输入控制信号(addr, we, en)输入数据(din)进行寄存(这些寄存器是可选的且在Block RAM内部),同时对输出也可寄存(该寄存器也是可选的)。 Block RAM自带的寄存器(Embedded Registers)对系统性能有很大影响,以VirtexUltraScale Plus芯片为例,在使用该寄存器未使用该寄存器时,Tco(时钟到输出延迟 (图片来源ds923,table 28) 在综合后的网表中,选中设计中的Block RAM,在其Property窗口中,查看DOA_REGDOB_REG,若其为0,则说明未使用Embedded Registers 当设计要求Latency为2时,Primitives Output RegisterCore Output Register选取其一即可。

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    8051单片机外扩ROM

    首先,我们必须知道外扩ROM的地址,因为8051单片机采用了统一编址,无论是什么样的外部设备,都有一个地址。在这里外扩一片2764(8KB的ROM)。具体的电路图按照如下方式连接。 在这里我们可以看到片外ROM的地址是0000H——1FFFH.片内只有4KB的ROM,地址是0000H——0FFFH。我们写一段测试代码,代码的功能是让P1.0接的LED灯闪烁。 我们的代码从1000H这个地址起,也就是说,放在了外部ROM中。代码如下。 ======================== org 1000h Start: ;Start是从1000H这个地址单元开始的,也就是在外部ROM

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    RAM刷新周期问题

    RAM刷新有三种: 1、集中式刷新在一个刷新周期内(2ms),先让存储器读写,然后集中刷新,这样就存在死区问题,如果是存取周期为2us的话,这样对于64*64的存储矩阵来说,集中刷新为128us,死区时间也为

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