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旺宏卢志远:逆周期加码研发,192层3D NAND年内试产

集微网消息,据台媒报道,NOR存储半导体大厂旺宏日前举行法说会,公司总经理卢志远表示,尽管存储半导体市况低迷,但公司仍持续投入研发,将部分产能调配给研发人员使用,以加快新产品研发脚步。

卢志远透露,3D NAND的开发进度方面,96层产品送样客户已完成测试,正等待客户下单;192层产品进度超前,预计今年中之后可望进入量产,至于3D NOR则要到明年。

卢志远还展望称,这波半导体行业景气下行预估将会以U型反转,但U的底部会比较久,景气将会慢慢回升。公司目前主营的NOR存储产品属于高品质产品,价格维持平稳,而且在需求疲弱时,多数客户无法透过降价而刺激出订单量,因而旺宏的售价维持平稳。

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  • 原文链接https://kuaibao.qq.com/s/20230215A05FLE00?refer=cp_1026
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