哈工大立功了！国产自研光源技术突破，外媒：低估了中企！

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导读：哈工大立功了！国产自研光源技术突破，外媒：低估了中企！

众所周知，半导体芯片是整个科技领域发展的核心，自从我国华为被卡脖子发展以后，就让我们认识到了发展国产芯片产业链的重要性，所以这几年国内也一直在加快半导体芯片领域的发展和布局；不过我们要想打造出属于我们自己的国产半导体芯片产业链，首先就要解决光刻机的卡脖子难题才行，只有拥有了先进的光刻机，才能生产出性能强悍的芯片！

在先进光刻机领域，一直以来都被荷兰的ASML公司所垄断，其生产的先进EUV光刻机也是生产7nm以下芯片的必要设备，因为产能有限，再加上制造工艺复杂，所以EUV光刻机的价格也并不便宜，一台售价就超过10亿元；即便如此，在老美芯片禁令的限制下，就算是国产科技企业有钱，也无法购买到先进的EUV光刻机，所以国内的科技企业想要不被人卡脖子发展，那么也只能走自主研发的道路！

很快，我国中科院、清华大学以及哈工大等机构都展开了对光刻机卡脖子技术的研发，随着这些机构和一些国内科技企业的不断发力，如今我们也开始攻克了光刻机的核心技术，而哈工大也传来了好消息，哈工大主导研发的高速超精密激光干涉仪已经自主研发成功，并能应用于350nm-28nm的光刻机样机上，可以说这一次哈工大也立功了！

作为国内一流的大学机构，哈工大也曾经历了和华为一样的遭遇，而这也更加激发了哈工大对半导体等核心技术研发的欲望，没想到哈工大这么快就通过自主研发，实现了光刻机光源技术的国产化，而光源系统也是光尅研发的三大核心系统之一，哈工大的立功也意味着，我们已经打破了国外对光刻机核心技术的垄断，对此外媒也表示：低估了中企！

如今在光刻机领域的三大核心零部件上，国产都已经实现了突破，除了光源系统以外，还有双件工作台和物镜我们都已经实现了国产化的研发，这也将进一步的推动国产光刻机的落地；虽然说现在国内所突破的光刻机技术和ASML的先进EUV光刻机还有很大的差距，只能达到28nm工艺，但是这也是一个非常良好的开端！而中企在光刻机领域的快速研发和突破，也让荷兰ASML以及日本的光刻机企业都始料未及！

要知道，光刻机虽然说是最前沿科技技术研发的结晶，研发的难度比较大，但是光刻机毕竟是人造的，而不是神造的；只要我们加大自主研发的力度，并全力以赴，那么就没有什么是我们所不能攻克的，这些年来，中国在科研领域的投入与日俱增，与荷兰相比，中国在科技研发领域的投入是荷兰的17倍多，在庞大研发经费的支持下，终有一天，我们会突破卡脖子技术的研发，并在国际半导体芯片市场上站起来，不知道对此你是怎么看的呢？