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哈工大突破光刻机核心部件,有3项技术领先,能否用于EUV设备?

在半导体领域里,生产出一个电子芯片,光刻机属于绕不开的核心设备。而且,在7nm以下的先进工艺中,更是少不了EUV设备。但是,光刻机的研发难度却十分大,特别是EUV设备,也只有ASML可以研发出来。

由于众所周知的原因,ASML不能卖给中企EUV设备,甚至以后售卖DUV也可能受限。为此,国内科研人员抓紧自研突破,近日,哈工大就突破了一项光刻机核心部件,且有3项技术领先。那么,该核心技术可否用于EUV设备呢?

哈工大突破光刻机核心部件

近日,哈工大官宣研制出HUE-D/S/X系列“高速超精密激光干涉仪”,在网上备受关注。因为,该研发项目可解决高端装备发展和量子化计量基准等前沿研究的“卡脖子”问题,更重要的是,该仪器是光刻机的核心部件。

大伙都知道,光刻机主要包括:光源系统、浸液系统、光学系统、工件台掩模台系统。其中工件台掩模台为光刻机中的超精密定位平台,对光刻机的产片率很大影响。

高速超精密激光干涉仪可以对光刻机中双工件台的多维运动,进行线位移、角位移同步测量与解耦,以满足掩膜工件台、硅片工件台和投影物镜之间,日益复杂的相对位移、姿态测量需求,进而保证光刻机整体套刻的精度。

因此,在光刻机等高端设备中,超精密高速激光干涉仪是核心单元之一,它是实现极限工作精度和工作效率的必要条件。

该仪器受关注另外一个原因,是因为它的技术整体水平高。

据悉,哈工大研制出的HUE-D/S/X系列“高速超精密激光干涉仪”不仅实现亚纳米,甚至深亚纳米级的高分辨力高精度位移测量。经过3位院士及专家鉴定,HUE-D/S/X系列仪器整体水平达到了国际先进水平,其中3项关键技术处于国际领先。

哈工大团队突破系列核心测量方法和工程化关键技术,解决了该领域存在的测不准、测不精、测不快的核心难题,该技术已经满足国内光刻机的各项需求。

值得注意的是,该设备并不是停留在线上研究。据了解,“高速超精密激光干涉仪”已实现了小批量生产,且应用在我国的350nm到28nm 多个工艺节点的光刻机样机集成研制和性能测试领域。

它能否用于EUV设备?

从以上的介绍可以得知,该核心部件是可以用于DUV光刻设备的,已应用到28nm以上工艺节点上。不过,EUV设备的技术要求更高,就目前来说,哈工大研制出的HUE-D/S/X系列仪器暂时还不可应用到极紫外光刻设备上。

一方面,EUV设备的移动工件台运动范围、精度和速度,都比DUV更进一步提升了。EUV要求在大量程6自由度复杂耦合高速运动条件下,实现0.1nm及以下的位移测量精度。

另一方面,EUV光刻设备是真空工作环境,这样来减少空气流动波和空气折射率引入的测量差。同时,EUV也大大提升了整体测量系统结构,针对空气真空适应性设计的复杂性。

不过值得注意的是,超精密激光干涉仪也是EUV 光刻机的核心技术之一,这项技术的突破,可为极紫外光刻机研发提供重要的技术储备。而且,哈工大研发团队还在继续努力,将研发极紫外光刻机的超精密高速激光干涉仪,适用于EUV光刻设备。

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  • 原文链接https://kuaibao.qq.com/s/20230218A07FZS00?refer=cp_1026
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