国博电子：已完成W波段T/R样件与小批量试制交付

集微网消息（文/白雨轩）近期，国博电子在接受机构调研时表示，公司目前具备100GHz及以下频段有源相控阵T/R组件研制批产能力，已完成W波段T/R样件与小批量试制交付，同时也在积极布局200GHz以上等超高频技术探索。太赫兹技术主要应用于超高精度雷达探测、雷达成像、超高速率保密通信等领域。

国博电子还透露，T/R组件国产化要求较高，公司的相关产品满足自主可控要求。军品T/R组件主要原材料为微波毫米波芯片，属于海外禁运领域。公司新研T/R组件产品的核心芯片由公司自主研发，部分稳定状态的产品芯片从55所采购，均为自主可控。

关于公司的民品业务，国博电子称，由于受到中美贸易摩擦和新冠疫情影响，2022年国内5G基站建设放缓，消费市场也较为萎靡。但公司研判这种情况不会一直持续下去，未来很快会迎来转机。

其进一步称，公司始终聚焦主营业务发展和核心技术创新，在国内5G基站建设放缓的大环境下，公司通过进一步提升在客户方面所占份额，同时加强新产品研发和新客户拓展，保持射频模块和射频芯片业务的稳定增长。

另外，关于国博电子2023年的产能规划情况，其表示，目前，公司正在积极推进在建工程的实施落地，预计2023年上半年逐步完成搬迁工作。同时加快推进募投项目建设，争取募投项目早日投产并实现预期效益。

（校对/黄仁贵）