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东微半导:公司第五代超级结MOSFET技术研发进展顺利 已经进入批量验证阶段

【东微半导:公司第五代超级结MOSFET技术研发进展顺利 已经进入批量验证阶段】财联社5月12日电,东微半导在投资者关系活动记录表中称,公司第三代高压超级结MOSFET已实现了大规模出货。公司持续拓展基于第三代高压超级结MOSFET技术平台的产品规格,单晶圆产出芯片颗数提高,同时产品性能得到进一步提升。公司第四代高压超级结MOSFET实现批量出货,同时,公司第五代超级结MOSFET技术研发进展顺利,已经进入批量验证阶段。

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  • 原文链接https://kuaibao.qq.com/s/20230512A068XC00?refer=cp_1026
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