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近日,博世正在扩大其SiC半导体业务,计划收购总部位于加利福尼亚州罗斯维尔的美国芯片制造商TSI半导体的资产。其目标是到2030年底大幅扩大其SiC器件组合,以满足电动汽车的需求。
TSI拥有250名员工,是一家专用集成电路(ASIC)的代工厂。目前,它主要在200mm硅晶圆上开发和生产大量芯片,用于移动、电信、能源和生命科学。
博世收购TSI半导体的交易对第三代半导体领域可能会产生积极影响。第三代半导体是指新一代半导体材料和器件,如碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN),具有更高的功率密度、更高的能源效率、更高的工作温度和更快的开关速度。这些特性使得第三代半导体在电动汽车、智能家居和工业 4.0 等领域得到越来越广泛的应用。
目前博世在汽车电子、动力总成和安全系统等领域具有领先的地位,而TSI半导体是一家专注于第三代半导体研发和制造的企业。博世收购TSI半导体可以为其提供更多的第三代半导体技术和产品,从而加速其在新能源汽车等领域的发展。同时,从全球范围看,第三代半导体市场也具有广阔的前景和潜力,博世收购TSI半导体也有望帮助其扩展其全球市场份额,对第三代半导体领域具有重要的战略意义和积极影响,能够帮助博世加速在新能源汽车等领域的发展,并扩展其在全球半导体市场的竞争力。
赛微电子在碳化硅基氮化镓材料及制造方面同样具有技术储备,在8英寸硅基氮化镓(GaN-on-Si)方面的技术储备与竞争力方面更为突出。
麦格米特参股公司瞻芯电子是一家致力于碳化硅功率器件与配套芯片的产业化的高科技公司,目前已经完成了国内第一个基于6英寸碳化硅晶圆的SiC MOSFET和SBD工艺平台开发,建成了一座按车规级标准设计的SiC晶圆厂。
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