钛媒体App 6月12日消息,近日,东京电子宣布成功开发出一种创新蚀刻技术,首次将电介质蚀刻应用带到了低温范围,使得刻蚀速率提高,能够在堆叠超过400层的3D NAND器件中生成通道孔。该创新技术可在短短33分钟内实现10微米深的高纵横比蚀刻,与之前的技术相比,可将全球变暖潜能值降低84%。
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