鹏城半导体携热丝法CVD金刚石方案亮相第三代半导体前沿研讨会

随着全球宏观环境的逐步恢复，第三代半导体产业于2023年迈向新的发展高峰，值此之际，TrendForce集邦咨询于6月15日在深圳举办了“2023第三代半导体前沿趋势研讨会”，汇聚了海内外第三代半导体先进企业代表，以及科研院校和媒体界的众多菁英，共同探讨第三代半导体产业的现状，展望未来。鹏城半导体作为半导体薄膜解决方案创新引领者，应邀出席了2023集邦咨询第三代半导体前沿趋势研讨会。

鹏城半导体作为本次研讨会参展企业之一，在会议现场为大家展示了热丝CVD金刚石设备、分子束外延薄膜生长设备（MBE）、高真空磁控溅射仪、高真空电子束蒸发镀膜机、高真空电阻热蒸发镀膜机及化学气相沉积（CVD）设备（其中包括LPCVD设备、MOCVD设备、PECVD设备等）等解决方案，为产业界和学术界搭建一座沟通桥梁。观众络绎不绝，咨询产业最新进展。

鹏城半导体董事/高级研究员 吴向方教授向客户介绍了鹏城半导体的公司情况，鹏城半导体作为一家致力于半导体材料、工艺和装备的研发设计、生产制造的科技型企业，鹏城半导体技术（深圳）有限公司，由多名教授与有多年实践经验的工程师团队共同创建的企业。有以教授和博士为核心的高水平材料研究和工艺研究团队，还有来自工业界多年的高级装备设计师团队，他们在业界从事了20多年的半导体材料研究、外延技术研究和半导体薄膜制备成套装备设计、生产制造的经验。

同时也给客户介绍了鹏城半导体的大尺寸金刚石晶圆项目。鹏城半导体是国内首家可以生长大尺寸的微米晶纳米晶CVD金刚石晶圆片，在光电子、大功率器件和高频微波器件等应用方面有着广阔的前景，其中，GaN具有禁带宽度大（室温下为3.39eV)､击穿电场强度高(3.3MV/cm)､饱和电子速度大(2.5×107cm/s)､热导率高(1.5W·cm-1·K-1)、抗辐射能力强以及易于形成异质结构等优异性能等特点，非常适于研制高频､大功率微波､毫米波器件和电路，在 5G 通讯、航天、国防等领域具有极高的应用价值。但热效应却严重制约其性能。金刚石作为自然界中热导率最高的材料（热导率可达2200W/mK，是碳化硅的5倍，氮化镓的15倍，硅的13倍，铜的5倍）。采用高导热率的金刚石作为GaN基功率器件的散热衬底或者热沉有望改善其“自热效应”，且金刚石半导体器件能够在高频、高功率、高电压以及强辐射等十分恶劣的环境中运行，被称为“终极半导体材料。大家都对鹏城半导体此次展出的解决方案及技术流露出认可和兴趣。

此次第三代半导体前沿趋势研讨会，不仅仅是一次新老客户的见面会，更是一次技术交流会。研讨会汇聚了全球极具影响力企业、行业人士，亮点纷呈。前来鹏城半导体展位参观交流的观众也是络绎不绝，现场气氛热烈，碰撞出无数技术火花，实现合作共赢。