美国芯片实现重大突破

重磅消息！！！美国芯片实现重大突破，有望引领新一轮的技术革命！

2023年5月4日，美国多家媒体报道了麻省理工学院（MIT）研究团队的最新研究成果。该团队开发出了一种不同于以往的全新技术，可以将低温生长区与高温硫化物前体分解区分离，并通过金属有机化学气相沉积法，以低于300℃的温度合成二维材料iconicon，然后直接在8英寸的二硫化钼薄膜CMOS晶圆上生长！

简单的来说，这项技术就像该大楼一样，以前的芯片只能建一层，但是有了这项技术，就可以在原有的基础上建造更高的楼层。

如果这项技术成熟并大力推广，世界产业将发生革命性的变化，人工智能技术和机器人技术将会突飞猛进。或许，赛博朋克世界将会很快的到来。