ASML将限制光刻机出口，国产芯片或退回45nm，未来40％芯片需进口

美国在去年十月的时候出台了半导体设备的出口限制，当时ASML就有消息传出，荷兰、日本、美国签订了三方协议，之后荷兰和日本将会分别开始出台半导体设备的出口限制规则。

当时中国对于这一违背国际准则的三方协议进行了谴责，甚至打算对这一协议展开调查，只不过由于美国并不承认，因此这一调查最后也只能作罢。

不过美国并不会因此就停止三方协议的签订，更不会放弃推动半导体设备的出口限制。果不其然就在前一段时间，日本和荷兰方面先后宣布了半导体设备的出口限制。其中日本方面限制了6类23种半导体设备的出口，并且将在7月23日开始实施。

由于日本方面的限制是实在是太广了，因此吸引了不少目光和关注，但是如果仔细看ASML的出口管制就会发现，其实ASML的出口管制也十分的严格，并没有如其所说的那样将会分配给中国厂商更多的产能。

ASML还没有公布具体的出口限制开始时间，只说了将会在今年夏天时候开始实施，这也就意味着，如果快的话，那么在这个月月底的时候ASML就会开始实施半导体设备的出口限制。

光刻机的重要性

光刻机可以说是芯片生产过程当中最为重要的一款半导体设备了，光刻机能够通过光的反射、折射将电子束和紫外光照射在涂有光刻胶的掩膜版上，从而形成复杂图案的刻印。在芯片制造环节当中，光刻机的使用率高达24%。

根据折射光的不同，光刻机可以分为G线光刻机、I线光刻机、KrF线光刻机和ArF光刻机、ArFi光刻机以及EUV光刻机。

本次ASML限制出口的2000i、2050i以及2010i等光刻机属于ArFi光刻机，也就是浸没式DUV光刻机，是EUV光刻机之下制程最先进的光刻机了。

国产芯片将倒退回45nm？

荷兰的半导体设备出口管制生效之后，ASML可以出货到中国市场的光刻机只有1980Di及更落后的光刻机了。根据ASML透露出的信息来看，1980Di光刻机通常用于45nm及以上制程的芯片生产，最高可以在多次曝光的情况之下生产出7nm芯片，但是多次曝光会影响良品率等。

从这个角度来看，三方协议正式生效之后，中国的国产芯片将会倒退回45nm制程，未来40%的芯片需要依靠进口，再加上日本限制了其他半导体设备的出口，例如蚀刻机、CVD、PCD、清洗设备等，并且日本限制的制程也在45nm之上。似乎更加佐证了中国芯片将倒退回45nm制程。

可实际上，从目前国内芯片产业的发展情况来看，这种说法完全是在博人眼球。

先说光刻机方面，目前国内芯片厂商基本都保有一定足以生产14nm到45nm制程芯片的光刻机，在短时间之内虽然可能会面临无法扩大产能的情况，但是基本上14nm及以上制程的芯片生产问题不大。

国内的光刻机厂商上海微电子，在近期已经宣布攻克了光源、浸没系统、光学镜片等几乎所有的核心技术，按照上海微电子公布的信息来看，光源采用了北京科益虹源打造的产品，双工作台、浸没系统、光学镜片等重要核心也都是从国内厂商处采购的。

上海微电子的28nm光刻机预计将会在今年年底或是在明年年初的时候正式发售，哪怕发售的产品存在一些瑕疵，但是最多两到三年的时间也就完成了打磨和产能提升，到时候基本可以供应国内厂商的需求。

至于CVD、PCD等其他半导体设备，中国厂商都也都实现了一定程度的国产化替代，特别是在蚀刻机方面，中国厂商的技术已经完成3nm、5nm蚀刻机的突破，基本完成试产和功能测试了。

在半导体材料方面，中国自研的光刻胶也已经研发成功，虽然在EUV光刻胶方面突破不多，但是满足28nm制程需要还是没有一点问题的。

从各个角度来看，中国基本上已经快要完成28nm芯片的完全国产化了，只要技术突破，有着中国庞大市场的支持，中国相关厂商迅速发展，提高产能只不过是水磨工夫的时间问题罢了。

从这个角度来看，哪怕美、日、荷签订三方协议，半导体设备出可口限制正式生效，中国半导体产业的发展也不会受到特别严重的影响，至于中国芯片倒退回45nm制程更是无稽之谈。

至于芯片进口，目前中国国产芯片的数量正在不断增加，而且中国对于芯片的需求大多都在28nm及以上制程，可以说随着国内芯片厂商的产能扩大，中国在2030年之前完成70%芯片国产化的目标难度并不大。

人民日报早就说过：我们应该放弃一切幻想，坚持走自主研发道路！光刻机的研发生产虽然十分困难，但是如果不掌握国产光刻机技术，那么就无法避免被人卡脖子的事情。本次三方协议虽然对中国芯片市场造成了一定的影响，但是从长期来看，只会加速国产半导体设备的发展。