全新铁电晶体管：半导体芯片迎来巨大突破，更小、更快、更节能

随着大数据革命的发展，现有的电子硬件面临着一些挑战，需要重新思考微芯片的设计。铁电场效应晶体管（FE-FETs）是一种有趣的解决方案，它结合了铁电材料和场效应晶体管的性能，具有低功耗、高速度和高密度等优势。

最近，美国宾夕法尼亚大学的研究人员开发了一种新的FE-FET设计，展示了卓越的计算和存储性能。该设计通过在铁电材料氮化铝钪上覆盖二硫化钼，成功结合了这两种材料，并实现了对工业制造有吸引力的晶体管。

这种设计具有超薄的特点，每个设备可以在最小的表面积上运行。此外，这些微型设备可以以可扩展到工业平台的大型阵列制造。

研究人员指出，他们的设计在MoS2和AlScN的结合上取得了突破。之前的研究由于尺寸变小而导致了铁电特性的损失，但是他们的设计使用了20纳米的AlScN和0.7纳米的MoS2，实现了可靠的数据存储和快速访问。

他们强调了铁电材料AlScN的重要性，它即使在很薄的厚度下（5纳米）也能保持其独特的性能。

研究团队表示，下一步他们将继续致力于进一步小型化，以生产出在低电压下工作且与领先的消费设备制造兼容的设备。

这种FE-FET设计有着广阔的应用前景，尤其适用于人工智能、数据处理和通信等领域。它可以在各种技术中发挥重要作用，支持消费设备并处理大量数据。