纳芯微(688052.SH)：除SiC二极管产品外，也在积极研发和验证1200V SiC MOSFET产品

格隆汇7月18日丨有投资者向纳芯微(688052.SH)提问，“最近纳芯微携全品类产品亮相慕尼黑上海电子展，1)其中全新推出1200V系列SiC二极管产品引发关注，相关产品有哪些技术优势 2)公司在机构调研中指出今年公司重点发力汽车电子，汽车级的碳化硅新产品也会陆续发布，近期无人驾驶智能座舱得到国家重点扶持，公司在汽车电子有哪些布局，尤其是新的车规级SiC芯片有哪些看点”

纳芯微回复称，1)公司的SiC二极管采用MPS结构设计，与传统的结构相比，具有显著优势。公司的SiC二极管具有更低的正向导通电压，同时在面对瞬态高电流冲击时，具备更强的抗浪涌能力。这种性能优势使得公司的SiC二极管在高功率应用中表现出色，为系统的可靠性和稳定性提供了重要保障。2)汽车是公司的重点目标市场，公司将继续深耕、提高在汽车电子应用和产品层面的覆盖度，包括压力传感器、磁传感器、通用信号链芯片、专用处理器芯片、数字隔离器和隔离采样芯片、车载接口芯片、栅级驱动芯片、马达驱动芯片、车灯驱动芯片、车载电源芯片、功率器件等丰富的产品类别。除SiC二极管产品外，公司也在积极研发和验证1200V SiC MOSFET产品。公司的SiC MOSFET产品将经过全面的车规级验证，以确保符合汽车级应用的要求。