“光刻机”第一龙头沉睡3年 或将超越阿斯麦！成首家“光刻茅”

什么是光刻机？

光刻机是晶圆制造工艺的最核心设备，通俗来讲就是制造芯片的核心装备，其被誉为半导体制造业皇冠上的明珠。只要掌握了光刻机的相关制造技术，那么国产芯片的发展就有了长足进步。

我们都知道，光刻机是“半导体”卡脖子最严重的地方，也是半导体国产化最迫切的方向。近期，我国在“光刻机”方向不断取得突破，让全球光刻机巨头“阿斯麦”都坐不住了。

近年来，海外对我国的科技管制越来越严格，同时我国对科技自主的需求也越来越迫切，尤其是在半导体领域。

近期，又有好消息来了！华为近期公布其已经完成13000多个器件的国产替代，未来将有更多国内企业在芯片端进行国产化

相信在不久的将来，国产“光刻机”的突破也指日可待！

目前光刻机三大核心方向，已经取得突破性进展

一台光刻机，主要由激光光源、物镜系统以及工作台，三大核心部分组成。

光刻机有28nm、22nm、14nm、7nm、5nm等不同规格之分，光刻机想要实现更精确的光刻，就必须要提高分辨率，方法只有两种：一种是减少光源波长，另一种是提高数值孔径。

目前，最顶尖的光刻机，光源波长是13.5nm。目前，我国光刻机ArF光源波长已经突破到193nm，已应用在上海微电子制造的28nm光刻机上。

光学镜头是整个光刻机最昂贵最复杂的部件，涉及光学、机械、计算机、电子学等多个前沿领域。虽然仅20余枚镜片，但设计难度极大。

目前，我国自主研发的光学镜头虽然与卡尔蔡司、尼康等公司的产品还有非常大的差距，但已经可以做到90nm。

工作台分为两部分，一个是测量台，一个是曝光台，因此也叫双工作台。两个工作台通过交换位置和智能，提高生产效率。

双工作台的技术难度极高，在高速运动下还要保持2nm的精度，目前全球仅阿斯麦掌握核心技术。当然，国内在双工作台方面也取得突破，精度为10nm，但与阿斯麦相比，差距还比较大。

除了以上三大核心部分取得突破外，在沉浸系统方面，也取得了一定的突破。目前，国产光刻机沉浸系统还处于DUV阶段，即KrF、ArF、ArFi。前两种已经取得突破，国产最高可做到90nm，可实现国产化替代。

第一家：赛微电子

跟ASML有合作还拥有数台光刻机，也是长期为世界的光刻机巨头厂商提供透镜系统MEMS部件的工艺开发以及晶圆制造服务。

第二家：万润股份

专注在电子化学品方面的光刻胶单体材料、聚酰亚胺材料，且不断在丰富产品线。

第三家：具有大牛潜质

"光刻机"第一龙头沉睡3年,或将超越"阿斯麦"!成国产首家"光刻茅"

公司参股国内唯一的研发、生产以及销售高端光刻机的企业。有望超越“阿斯麦”，手握有百项专利，基本面优良，中报大幅预增40倍，具有“光刻机+新能源车+汽车电子”等多个热点叠加，技术形态上来，成交量倍量拉升之后，缩量震荡，看好走出一波趋势，或成首家"光刻茅"！

第四家：奥普光电

公司的主营业务是光学材料、光学测控仪器设备的研发、生产和销售。公司大股东长春光机所正在研发更高水平的光刻机曝光系统，最近长春光机所牵头研制的EUV光刻机正式亮相，有望在光刻机领域实现弯道超车。

第五家：康达新材

参股企业有实现光刻胶核心材料感光剂的开发，且平坦层光刻胶材料已处开展应用测试。

第六家：华卓精科

"浸没式光刻机双工件台产品研制与能力建设"，继 ASML 后全球第二家掌握该技术的公司，在研。