根据全球科技产业跟踪机构 Omdia 周日公布的数据,SK 海力士在 4 月至 6 月期间 DRAM 销售额达 34 亿美元,比上季度飙升 49%。尽管全球 DRAM 销售额在该季度内达到 107 亿美元,环比增长 15%,但同比下降了 57%。
在强劲的销售推动下,这家韩国 DRAM 巨头以 31.9% 的市场份额夺回了 DRAM 市场的第二名,比第一季度高出 7.2 个百分点,甩开了美国竞争对手美光科技公司。据 Omdia 报道,这也将 SK 海力士的市场份额差距与市场领导者三星电子缩小至 6.3 个百分点,而第一季度的差距为 18.1 个百分点。
虽然三星电子在第二季度 DRAM 销售额达到了 41 亿美元,继续保持着首位地位,但环比仅增长了 3%,市场份额也从 42.8% 下降至 38.2%。这是自 2013 年以来三星电子 DRAM 市场份额首次跌破 40%,当时为 36.2%,而 SK 海力士的份额在过去十年中始终低于 30%。
SK 海力士重夺第二名的成功始于现今持续的生成型 AI 热潮。为了保证生成型 AI 的流畅运行,需要大量的显卡来运行海量的数据。为了保证 GPU 的无缝运行,还需要具备多个高带宽内存芯片。HBM 即为一种高价值和高性能内存,它将多个 DRAM 芯片进行垂直互连,与普通 DRAM 产品相比,大大提高了数据处理速度。
SK 海力士是全球第一家开发出 HBM 芯片并为全球 GPU 领先者英伟达专供第四代 HBM- HBM3 的独家供应商。据市场分析师称,由于其向英伟达提供 HBM3E 样品(即第五代 HBM,被认为是业界性能最佳的 AI 应用 DRAM 芯片)进行性能评估,其在 HBM 市场的领先地位有望持续一段时间。
尤其是持续强劲的 AI 势头预计将为 DRAM 市场带来一些变化,SK 海力士的前景也很好。Omdia 指出,AI 热潮导致 HBM 产品及其他高性能 DRAM 芯片的销售增加,其中包括 128 GB 及以上的内存芯片,这减缓了 DRAM 整体价格的下跌。
根据 Omdia 的预测,HBM 的需求今年和明年将增长 100%,其早前的预测为 50% 的增长,这波动力源于 AI 热潮。在整体 DRAM 价格下跌的情况下,其高性能的 DRAM 芯片销售增长,使其更有机会与强势的三星电子匹敌。
虽然全球 DRAM 领导者三星电子在 HBM 的开发上稍晚于 SK 海力士,但是它也正在大力投入开发高价值 AI 芯片,以抵御 SK 海力士在广泛 DRAM 市场的崛起。
据半导体行业的消息人士周五透露,全球最大的 DRAM 生产商预计将很快向美国图形芯片领导者英伟达供应其自己的 HBM3 芯片,此前已于上月向英伟达提供了性能评估样品。若三星电子的 HBM3 芯片被用于英伟达的 A100 和 H100 Tensor Core GPU 中,这可能削弱 SK 海力士在 HBM 市场的主导地位。
据消息人士称,三星电子已知向另一家美国无厂半导体芯片制造商 AMD 供应其 HBM3 芯片。另外,三星电子也已经开发了行业中容量最大的 32 Gb DDR5 DRAM,其采用了业界领先的 12 纳米工艺技术,最近宣布该技术非常适用于各种 AI 应用,其容量达 16 Gb DDR5 的两倍,却和以前的 DDR5 几乎相同大小。此外,该 DDR5 具有比以前型号高 10% 的高电能效率。
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