不用EUV光刻机也能制造高端芯片，中国芯转道超车是必然

近年来，随着全球半导体产业的高速发展，芯片制造成为各国争夺制高点的焦点。然而，传统的芯片制造技术对于极紫外光刻机（EUV）的依赖以及技术封锁等问题，使得中国等国家在高端芯片制造领域面临着困境。然而，复旦大学研究团队最近发明的晶圆级硅基二维互补叠层晶体管技术为中国芯片制造带来了新的希望和机遇。

这项技术的原理在于将多个电子型和空穴型晶体管垂直堆叠形成三维集成电路，通过提高芯片集成密度、性能和功能来降低功耗和成本。与传统技术相比，该技术不依赖极紫外光刻工艺，而是利用成熟的后端工艺将新型二维材料集成在硅基芯片上，实现了4英寸大规模三维异质集成互补场效应晶体管。这一突破性的技术将不仅提高芯片的制造效率，还能为中国在高端芯片领域实现转型升级提供重要支持。

晶圆级硅基二维互补叠层晶体管的原理和优势

晶圆级硅基二维互补叠层晶体管技术的原理非常先进和复杂。通过利用硅基材料，将多种功能和性能不同的晶体管堆叠在一起，形成三维集成电路。这种堆叠方式不仅能提高芯片的集成密度，还能大幅度提升芯片的工作性能和功能。

与传统的制造技术相比，晶圆级硅基二维互补叠层晶体管技术具有许多优势。首先，它能够绕过对极紫外光刻机的依赖，减少芯片制造过程中的技术难度和成本。其次，该技术利用成熟的后端工艺将新型二维材料集成在硅基芯片上，进一步降低了制造成本。此外，晶圆级硅基二维互补叠层晶体管技术还具有更高的集成度和更低的功耗，通过进一步缩小芯片尺寸和提高性能，实现了芯片制造的突破。

晶圆级硅基二维互补叠层晶体管的应用和前景

晶圆级硅基二维互补叠层晶体管技术的应用潜力巨大。首先，该技术能够提高芯片的集成密度和性能，实现更多功能的集成和互联。例如，在人工智能芯片领域，晶圆级硅基二维互补叠层晶体管技术可以实现更高的算力和更低的功耗，为人工智能技术的发展提供强有力的支持。其次，研究团队还验证了该技术在光电探测和气体传感等应用方面的潜力，为相关领域的发展带来新的机遇。

目前，基于工业化产线的更大尺寸晶圆级异质CFET技术正在研发中。这项技术将进一步提升芯片的集成密度，并能够生产更高质量、更高性能的芯片，满足高端芯片的制造需求。通过晶圆级硅基二维互补叠层晶体管技术的应用，中国在高端芯片制造领域将迎来更多的机遇和挑战。

技术的挑战和希望

当然，中国在半导体领域仍然面临着技术封锁和贸易战的挑战。由于一些国家的限制和禁令，中国芯片制造企业难以获得先进的制造设备和技术。然而，晶圆级硅基二维互补叠层晶体管技术的出现为中国在半导体领域带来了新的希望。

首先，该技术不依赖于极紫外光刻机，减轻了对进口设备的依赖，降低了技术封锁的风险。其次，晶圆级硅基二维互补叠层晶体管技术利用成熟的后端工艺，实现了新型二维材料在硅基芯片上的集成，为中国芯片制造企业提供了新的突破口。最后，该技术的出现为中国芯片制造提供了新的机遇和发展空间，有望推动中国在高端芯片制造领域实现超车发展。

综上所述，复旦大学研究团队发明的晶圆级硅基二维互补叠层晶体管技术的出现为中国芯片制造带来了新的希望和机遇。该技术通过提高芯片的集成密度、性能和功能，降低芯片制造成本和功耗，为中国在高端芯片制造领域的超车发展提供了重要支持。然而，中国半导体产业仍然面临着技术封锁和贸易战的挑战，需要持续创新和努力才能实现更高水平的发展。希望通过晶圆级硅基二维互补叠层晶体管技术的推广和应用，中国能够在芯片制造领域取得更大的突破和进步。