遥遥领先，长江存储实现重大突破

中国长江存储公司创造了半导体历史，成为全球首家量产300+层NAND闪存芯片的企业。这一技术突破标志着中国在存储芯片领域已经达到了世界领先水平，有了和国际大厂比肩的实力。

长江储存公司于2016年成立，是中国最大的存储芯片制造商，也是全球第四大NAND闪存芯片供应商。该公司自主研发了晶栈 Xtacking技术，将3D NAND闪存芯片的制程和外围电路分开制造，然后通过键合技术连接在一起，实现了高密度、高性能、高可靠性和低功耗的闪存芯片。

该公司于2020年4月研发成功了第三代3D NAND闪存芯片X2-6070，采用晶栈 Xtacking 2.0技术，堆叠层数达到128层，单颗容量为1.33Tb（166GB），I/O传输速率达到2400MT/s，符合ONFI 5.0规范。该产品已经广泛应用于消费电子、数据中心、工业控制等领域。

今年9月，长江储存公司又发布了基于晶栈 Xtacking 3.0技术的第四代3D TLC NAND闪存芯片X3-9070，堆叠层数超过300层，单颗容量为1.6Tb（200GB），I/O传输速率达到3200MT/s，符合ONFI 6.0规范。该产品是目前全球唯一进入零售市场的200层以上的3D NAND闪存解决方案，也是业界密度最高、性能最强、成本最低的闪存芯片之一。

长江储存公司表示，该公司已经开始向全球客户提供X3-9070样品，并计划在2024年上半年开始量产。该公司还透露，其正在开发基于晶栈 Xtacking 4.0技术的第五代3D NAND闪存芯片，预计将在2025年推出500层以上的闪存芯片。

长江储存公司的技术突破引起了国际社会的广泛关注和赞誉。业内专家认为，长江储存公司已经领先于三星、美光、SK海力士等同类厂商，在3D NAND闪存芯片领域取得了重大突破。长江储存公司不仅打破了国外厂商对于高端闪存芯片的垄断，也为中国半导体产业的发展提供了强大的动力和支撑。