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不用光刻机,也能制造5nm芯片!佳能“背刺”ASML公司能否成功?

众所周知,芯片制造的过程很复杂,涉及设计、制造和封装等过程,业界普遍认为,要制造或生产7nm芯片,就必须要有EUV光刻机,或者采用浸润式光刻机,在多重曝光技术下,才能够完成。换句话说,没有光刻机,就不能制造出7nm及以上的先进芯片。

近日,佳能传来了新消息,相当于颠覆了行业认知,它提出了一个新的观点,不用光刻机,也能制造5nm芯片,这到底是怎么回事呢?据悉,佳能研制出了一个全新的芯片制造设备,不需要光刻技术,也能够生产出5nm芯片。更可怕的是,通过继续优化,制造出2nm芯片也不是问题。这到底是怎么回事呢?又是什么技术可以取代光刻技术呢?

实际上,佳能所说的就是“纳米压印”技术。都知道,在高端光刻机领域,几乎都被ASML公司所垄断,尽管佳能、尼康也是行业的Top级企业,但和ASML公司之间的差距还是相当大的。如果继续研究光刻技术,也很难超越ASML公司。

于是,佳能就注意到了另外一个赛道——纳米压印。客观来说,光刻机技术也已经发展到了“瓶颈期”,突破速度明显变慢,而纳米压印尽管只发展了20多年,但却进步神速,确实有“终结光刻时代”的势头和潜力。

更重要的是,和光刻技术相比,纳米压印不仅成本更低,制造工艺更简单,并且还适合大规模生产,一旦纳米压印能够成为主流技术,有望将芯片制造设备的价格“打”下来,这对于整个半导体行业的发展都是有积极作用的。

当然,纳米压印技术有这么多的优势,为何现在才开始研究呢?很显然,有利就有弊,纳米压印技术也是有技术Bug的,主要问题就在于怎么能够在“印章”中挖出纳米级的沟道,怎么解决“印章”过程中缺边少角的问题,以及如何减少纳米压印的残次品问题等等。

归根到底就是,纳米压印技术和良品率之间,还存在比较大的矛盾,良品率上不去,就没有被商用的价值,所以说,纳米压印技术虽好,但还是有不少零碎的技术问题需要解决。

那么问题来了,佳能能够“背刺”ASML公司成功吗?换个提问方式,纳米压印能否取代光刻技术?

针对这个问题,答案已经很明显了,纳米压印技术的第一步就是要制作出“印章”,而在“印章”上挖出纳米级的沟渠,目前最好的方式就是使用光刻技术。也就是说,纳米压印绕不开光刻,更别说取代了!

所以说,纳米压印和光刻并不是对立或取代的关系,相反的,纳米压印和光刻技术的结合,在一定程度上能够节省成本,扩大产能,这或许是未来芯片制造设备发展的新方向、新思路!单一的技术发展,必定会有瓶颈,但多项技术的融合,或许能够打开局面,进入一片新的天地,售价几千万甚至数亿的光刻机,已经逐渐背离市场需求了,是时候做出改变了!对此,你怎么看呢?欢迎评论留言!

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