国产半导体再突破！环球晶圆成功量产8英寸SiC晶圆

环球晶圆控股董事长徐秀兰近日表示，公司已经成功克服了量产碳化硅（SiC）晶圆的技术难题，并将SiC晶圆推进至8英寸，与国际大厂同步。她预估将于2024年第四季度开始小批量出货8英寸SiC产品，到2025年会大幅增长，到2026年占比超过6英寸晶圆。

目前，环球晶圆较好地控制了8英寸晶圆良率，已经超过50%，并且有进一步改善的空间。明年上半年将开始交付相关样品。

徐秀兰还表示，客户都希望环球晶圆能顺利从6英寸到8英寸SiC的量产过渡，这些客户主要来自汽车领域。为了满足客户的需求，环球晶圆设计并开发了专门的碳化硅晶体生长炉（Crystal Growth Furnace），以增强材料质量控制并降低晶体生长成本。

然而，由于SiC的高硬度和脆性，对晶圆加工带来了挑战。不过，环球晶圆采用更高的工艺精度和更高效的晶圆处理方法，实现了超薄SiC晶圆加工。