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三星电子将扩大尖端DRAM/NAND产量

10月31日,三星电子在第三季度财报电话会议上宣布,将扩大10纳米第四代(1a)、第五代(1b) dram和第七、第八代v- nand闪存等尖端存储器产品的供应,而不会进行任何下调。

三星电子副总裁Kim Jae-jun表示:“对于生成式人工智能(AI)等高性能产品运行至关重要的尖端存储的需求正在迅速增长。另一方面,由于去年以来存储行业的资本投资削减,我们先进节点工艺的扩展受到限制。”

Kim Jae-jun补充道:“三星电子将通过维持投资来进一步巩固其在尖端存储器市场的地位,以确保其中长期竞争力。”三星电子负责半导体业务的DS部门计划每年投资47.5万亿韩元的资本支出。

然而,Kim Jae-jun解释说,对于一些传统产品,该公司正在继续调整产量以使库存正常化,“将进行选择性的生产调整,以在短时间内使库存正常化。NAND闪存的供应削减幅度将大于DRAM。”

当天,三星电子公布第三季度财报业绩,合并销售额67.4047万亿韩元,营业利润为2.4336万亿韩元。三星电子销售额较去年第三季度下降12.21%,但较今年第二季度增长12.3%;营业利润较去年同期下降77.57%。不过,这一数字明显高于市场预测的1.8358万亿韩元。

特别是三星DS部门的经营业绩有所改善,营业利润达到2万亿韩元以上。该公司公布的营业亏损为3.75万亿韩元,与第一季度的4.58万亿韩元和第二季度的4.36万亿韩元相比,亏损大幅缩小。

三星电子在包括家电、移动通信在内的dx领域,销售额和营业利润分别达到44.2万亿韩元和3.73万亿韩元。另外,以智能手机为主的移动体验和网络部门创造了3.3万亿韩元的营业利润;以智能手机为主的移动体验和网络部门创造了3.3万亿韩元的营业利润;消费电子和视觉显示部门创造了3800亿韩元的营业利润;三星显示实现营业利润1.94万亿韩元;汽车电子子公司哈曼实现营业利润4500亿韩元。

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