通过前面的教程,我们已经对VASP计算的基础操作有了一个比较全面的认识了,前面的教程中包含了一些简单的计算例子,大家可以参照教程反复练习,对于更具体的算例将会在后面的教程中呈现给大家。同时前面的教程也介绍了一些常用的小程序,这个大家自己多加联系,我们在后面的教程里面会用到。我们将通过今天得教程把前面的内容总结一下,同时将计算过程中需要注意的参数强调一下。
VASP计算任务都是通过INCAR文件里面的参数来控制的,因此我们在准备INCAR文件时一定要保证参数设置正确,才能顺利的开始计算任务,得到正确的计算结果。下面来说一下计算时需要注意的一些参数设置。
结构优化
只进行离子弛豫
IBRION = 2
ISIF = 2
块体晶格参数优化
IBRION = 2
ISIF = 3
二维材料晶格参数优化
a.IBRION = 2;ISIF = 3,OPTCELL 写入 110,高精度计算
b.IBRION = 2;ISIF =4,高精度计算
c.IBRION = 2;ISIF = 3,高精度计算,加超大真空层
态密度和能带
态密度计算:
ISTART=1;ICHARG=11;ISMEAR= -5;LORBIT=11
需要将自洽计算得到的CHG、CHGCAR拷贝至同一目录下
能带计算:
ISTART= 1;ICHARG = 11
NBANDS # 一般可以用默认,可以根据情况适当增加
ISMARE # 半导体或绝缘体用0,金属用1
杂化泛函计算能带:
杂化泛函计算能带的INCAR文件可以通过VASPKIT生成,这里只给出部分参数,面计算实例的教程会给出完整INCAR。
GGA=PS # 选用的赝势文件为PBBEsol,=PE为PBE的方法)
LHFCALC = .True.
PRECFOCK = Normal
TIME = 0.4
HFSCREEN = 0.2
AEXX = 0.25 # 25% HF exact exchange, adjusted this value to reproduce experimental band gap
NPAR=16 #使用核数为4,16,64此种)
ALGO=ALL
VASP难收敛的问题
于一些磁性体系、镧系和锕系元素及相关化合物的静态计算(电子迭代),经常会遇到“难收敛”的问题。1、LMAXMIX默认值为 2,含d电子的元素设置为4,含f电子的元素设置为6,这个参数对于含d电子和f电子的体系是非常重要的,很大一部分体系的收敛问题可以通过设置合适的LMAXMIX值来解决。2、ALGO, IALGO, LDIAG如果自洽计算在40步内未收敛,那么可能这个体系就不会收敛,说明书建议调整ALGO, IALGO, LDIAG混合参数来解决这个问题。一般情况下,或使用IALGO=48时遇到收敛问题的话,可以考虑设IALGO为38,或设置ALGO=Normal or Fast (in VAS P.4.5 and later versions)。3、NELMDLNELMDL在开始时会给出非自洽计算的步数,在某些情况下(例如分子动力学或离子弛豫),可以将NELMIN设置为更大的值(4到8)。4、mixing-parametersVASP说明书中给出了调节AMIX和BMIX的一些较为明确的建议,但是实际去调节的时候,还是挺难的,但原则上说,是可以通过调节这两个Flag来使得收敛问题得以解决的,只是得有耐心。5、kmesh, SIGMA收敛问题还跟kmesh及SIGMA(当使用ISMEAR不等于-5 和-4时)的设置有关。要达到同样的精度,较小的SIGMA则需要较大的kmesh;而且,当SIGMA较小时,若KPOINTS不够多,也会出现难收敛的情况。以上便是VASP计算过程中的一些注意事项的总结,在这里给大家一一列出,当然实际的问题还要大家根据实际情况进行具体分析,还是那句话,一切以手册为主,出现了计算错误一定要先分析错误原因,根据错误原因找解决方法。
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