【IC风云榜候选企业126】蓉矽半导体：坚持自主研发，国产车规SiC的又一突破

【编者按】2024年度IC风云榜再度升级，奖项扩展至35个、榜单增至59项，不仅在形式和深度上焕然一新，而且分类更加科学全面，产业触达程度更深、行业影响力持续扩大。本届评委会由半导体投资联盟超100家会员单位、500+半导体行业CEO共同担任，获奖名单将于2024半导体投资年会暨IC风云榜颁奖典礼上隆重揭晓，激发产业创新潜能，树立产业新标杆。

【候选企业】成都蓉矽半导体有限公司（以下简称：蓉矽半导体）

【候选奖项】年度车规芯片技术突破奖

集微网消息 这几年，从光伏到新能源汽车领域，第三代半导体材料碳化硅（SiC）的热度正在全球范围内不断攀升。

与硅材料相比，SiC具备更宽的禁带宽度、更高的击穿场强、更快的电子饱和速度和更高的导热系数等优异的物理性质。这使得SiC器件产品拥有耐高温、耐高压、低损耗等性能，能够有效满足电力电子系统的高效率、小型化和轻量化要求，在新能源汽车、光伏发电、轨道交通、智能电网等领域具有重要应用潜力。

成立于2019年的蓉矽半导体是一家专注SiC功率器件设计与开发的高新技术企业。蓉矽半导体坚持自主开发碳化硅功率器件和模块产品，围绕市场需求，设有高性价比的NovuSiC(工业级)和高可靠性的DuraSiC(车规级)碳化硅MOSFET、碳化硅二极管(EJBSTM)以及碳化硅模块(NovuPower)产品。

蓉矽半导体建立了符合IATF 16949质量管理标准的完整供应链，产品广泛应用于工控电源、工业电机、光伏逆变、储能、充电桩及新能源汽车等领域。

DuraSiC MOSFET：NE1M120C12HT是蓉矽半导体的重要产品。NE1M120C12HT是支持耐压值1200V，导通电阻为12mΩ的高性能SiC MOSFET功率器件，驱动电压为18-20V，满足车规主驱芯片的高可靠性要求。同时，NE1M120C12HT支持TO-247-4L、TO-247-3L以及TO-263-7L等多种封装形式，全系列产品均采用环保物料，并完成了RoHS、REACH认证，获取了SGS报告，全面满足光伏、风电、汽车电子、工业电源和储能等领域的应用需求。

NE1M120C12HT的技术创新点包括：一是采用沟道自对准工艺和凸多边形密铺的元胞布局形式，增加了沟道密度，充分降低了沟道电阻，使得器件在单位面积内的电流能力提升；二是采用多晶硅网络优化技术，充分降低了栅极内阻，提高了器件在开关过程中对输入电容的充放电速度，降低了器件的开关损耗；三是采用结终端优化技术，降低了器件在结终端的曲率效应，提高了器件的耐压能力；三是采用开尔文源的PAD设置，降低了封装中的杂散电感；四是20V驱动电压下，导通电阻为40mΩ，可兼容18V驱动电压，导通电阻为43mΩ；五是拥有同规格产品中较大的电流容量，其最大可持续电流可以达到75A。

具体而言，NE1M120C12HT的表现如下：

其一，当VGS=20V时，导通电阻为12mΩ，比导通电阻为4.6mΩ·cm²，在国内位居前列；当VDD=800V时，短路耐受时间≥3μs, 动态性能达到国际水平；1200V耐压时，JFET区栅氧化层电场强度远小于常规4.0MV/cm限制，栅氧化层高度可靠。

其二，最大可持续电流214A，为近似规格产品中最高电流。

其三，更低的动态损耗：VDD=800V，TO-247-4L下测试开启损耗为5.2mJ。

其四，为客户提供“Double Pulse Test”评估板进行单双脉冲测试，以评估开关管动态性能；技术服务团队辐射华南、华中、西北、西南，可以提供迅速、及时的现场技术支持。

现阶段，NE1M120C12HT稳定应用于光储、电动汽车、充电桩和OBC等领域，并已通过AEC-Q101车规标准考核，且今年该产品的销售量十分可观，销售额将突破5000万元。

【奖项申报入口】

2024半导体投资年会暨IC风云榜颁奖典礼将于2023年12月举办，奖项申报已启动，目前征集与候选企业/机构报道正在进行，欢迎报名参与，共赴行业盛宴！

【年度车规芯片技术突破奖】

旨在表彰2023年度于前沿技术领域开展原始性重大技术创新，达到国际先进/领先水平，未来或产生重大经济社会效益，对于推动我国车规芯片产业链自主安全可控发展发挥重大作用的企业。

【报名条件】

1、深耕车规芯片某一细分领域，2023年发布的新技术或产品具有原始性重大技术创新，达到国际先进/领先水平；

2、产品应用范围广，具有良好市场前景，对全球及国内半导体产业发展起到重要作用。

【评选标准】

1、技术的原始创新性（50%）；

2、技术或产品的主要性能和指标（30%）；

3、产品的市场前景及经济社会效益（20%）。