国产光刻机，发展到哪一步了？90nm，还是7nm？

中国在光刻机领域的发展取得了显著的进展，尤其是在后道光刻机方面。上海微电子成为全球后道光刻机市场份额的领先者，占据了37%的市场份额，并在国内市场拥有85%的份额。许多全球的封测企业都选择从上海微电子采购后道光刻机用于芯片封装。后道光刻机相对于前道光刻机门槛低一些，难度也相对较小，因此国内的技术实力在这方面表现出色。

然而，在前道光刻机领域，ASML占据着绝对的市场优势，其份额超过全球80%。前道光刻机又可以细分为i线、G线、KrF、ArF、ArFi和EUV等几类。普通干式光刻机ArF的最高工艺支持到65nm，浸润式光刻机ArFi的最高支持工艺是7nm，而极紫外线光刻机EUV则用于处理更低的7nm工艺以下。目前全球唯一能够制造EUV光刻机的是ASML，而制造ArFi光刻机的则有ASML和尼康两家公司。

根据目前公开的数据来看，ASML在前道光刻机领域技术最为先进，尼康紧随其后，达到了高端的ArFi水平。相比之下，上海微电子和佳能等公司则在低端领域，只能达到90nm工艺阶段。不过，有一些网友表示国内的技术水平可能并不局限于90nm，只是尚未公开披露。至于这个观点是否准确，主要还是取决于将来的发展。目前我们只能根据已经公布的数据进行分析。

总的来说，后道光刻机方面中国已经处于领先水平，主要需要突破的是前道光刻机。目前中国掌握的是ArF技术，下一步的目标是突破浸润式技术（ArFi）。关于何时能够突破这一技术，那就要看上海微电子的进展了。我们期待他们能够尽早突破，因为一旦突破了ArFi技术，就能够实现7nm工艺，从而让美国的封锁失去意义。

正如我们所看到的，中国国内的光刻机发展取得了非常大的进步。尽管在前道光刻机领域还有一定的差距，但中国的技术实力和发展势头让人们对未来充满期待。随着国内企业不断突破技术瓶颈，相信中国的光刻机技术会达到世界领先水平，并为国内芯片产业的发展注入新的动力。

总结起来，国产光刻机在后道光刻机方面已经取得了显著的进展，国内的公司在该领域占据着世界领先地位。但在前道光刻机领域，ASML仍然占据着绝对的市场份额，国内企业仍然有待突破。优势技术ArFi的突破对于中国光刻机产业的发展非常关键，一旦实现，将使中国能够达到7nm的工艺水平，使国内芯片产业更加具有竞争力。我们对于中国光刻机的未来发展持乐观态度，期待着中国光刻机技术能够在全球展现更强大的影响力。